[发明专利]半导体晶圆和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体晶圆，包括：

一个或多个缓冲层；

多个抛光触止块形成在一个或多个缓冲层里；

在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；

被增加到一个或多个外延层的一个或多个金属层；以及

被粘贴或键合或电镀到一个或多个金属层的第二基板。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中每个抛光触止块包括被加到抛光触止块上的一个抛光触止层，且其中每个抛光触止块是由第一材料制成，而每个抛光触止层是由第二材料制成。

3.根据权利要求2所述的半导体晶元，所述抛光触止层完全包围和覆盖抛光触止块。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，包括在一个或多个缓冲层上或其之间生长的一个蚀刻触止层。

5.根据权利要求4所述的半导体晶元，所述蚀刻触止层是一个或多个AllnGaN层。

6.根据权利要求4所述的半导体晶元，所述蚀刻触止层是一个高掺杂层。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆，包括被加在一个或多个缓冲层上的转光材料。

8.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中抛光触止块的材料为金刚石、类金刚石碳、氮化钛(TiNx)或钛钨(TiWx)合金。

9.根据权利要求1所述的半导体晶元，包括一个或多个在第二基板上形成的图案化电镀，以便于半导体晶元的分割。

10.根据权利要求1所述的半导体晶元，还包括一个导电层，位于缓冲层和外延层之间。

11.根据权利要求10所述的半导体晶元，还包括一个内置触点，其从半导体晶元的表面延伸至导电层，且内置触点被绝缘材料围住，以减少与半导体晶元内其它层的接触。

12.一种半导体器件，包括：

在晶圆上的多个抛光触止块；

一个或多个缓冲层，形成在所述多个抛光触止块上；

在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；

在一个或多个外延层上的一个或多个金属层；和

被粘贴或键合或电镀到一个或多个金属层的第二基板。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中使用一种积层或层压工艺，一个或多个金属层被增加到一个或多个外延层。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中第二基板是铜基板。

15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中每个抛光触止块包括被加到抛光触止块上的一个抛光触止层，且其中每个抛光触止块是由第一材料制成，而每个抛光触止层是由第二材料制成。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，所述抛光触止层完全包围和覆盖抛光触止块。

17.根据权利要求12所述的半导体器件，包括在一个或多个外延层上或其之间生长的一个蚀刻触止层。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，所述蚀刻触止层是一个或多个AllnGaN层。

19.根据权利要求17所述的半导体器件，所述蚀刻触止层是一个高掺杂层。

20.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括一个或多个缓冲层，一个或多个外延层被增加到一个或多个缓冲层上。

21.根据权利要求20所述的半导体器件，其中所述多个抛光触止块形成在一个或多个缓冲层里。