[发明专利]形成氧化物经封装传导形体的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在介电层中形成具有侧表面及底表面的开口；

在该开口的该侧表面及该底表面上和该介电层的上表面上形成阻障层；

以氧气电浆处理该阻障层，以在该阻障层上形成悬垂氧原子；

在该阻障层上沉积种晶层；以及

以铜Cu或铜合金填充该开口，

导致在该铜或铜合金的上及底表面上和沿着填充该开口的该铜或铜合金的侧表面形成金属氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，包括自该介电层的该上表面移除该阻障层、该种晶层、及该铜或铜合金。

3.根据权利要求2所述的方法，包括在填充该开口的该铜或铜合金上形成覆盖层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中该覆盖层包括氮碳化硅SiC_xN_y。

5.根据权利要求1所述的方法，包括沉积作为该种晶层的铜合金。

6.根据权利要求5所述的方法，包括沉积作为该种晶层的CuMn或CuAl合金，其中该金属氧化物层包括MnO或Al₂O₃。

7.根据权利要求1所述的方法，包括以至的厚度沉积该阻障层。

8.根据权利要求1所述的方法，包括以至的厚度沉积该种晶层。

9.根据权利要求1所述的方法，包括以至的厚度形成该金属氧化物层。

10.一种装置，包括：

半导体组件；

在该半导体组件上的介电层；

填充该介电层中的开口的铜或铜合金；以及

封装填充该开口的该铜或铜合金的金属氧化物层。

11.根据权利要求10所述的装置，其中该金属氧化物层包括MnO或Al₂O₃。

12.根据权利要求10所述的装置，进一步包括加衬该开口的阻障层。

13.根据权利要求10所述的装置，其中该金属氧化物层具有至的实质上均匀的厚度。

14.根据权利要求10所述的装置，其中该阻障层具有至的厚度。

15.根据权利要求10所述的装置，其中：

该开口为沟槽；以及

填充该沟槽的该铜或铜合金为导线。

16.一种方法，包括：

在半导体组件上提供介电层；

在该介电层中形成具有侧表面及底表面的沟槽；

在该沟槽的该侧表面及该底表面上沉积阻障层；

以氧气电浆处理该阻障层，以在该阻障层上形成悬垂氧原子；

在该阻障层上沉积铜合金种晶层；

以铜Cu或铜合金填充该沟槽，以形成铜或铜合金镶嵌及在该介电层的上表面上的过覆盖；以及

平坦化，使得该铜或铜合金镶嵌的上表面与该介电层的该上表面实质上共平面，

导致形成封装该铜或铜合金镶嵌的金属氧化物层。

17.根据权利要求16所述的方法，包括沉积作为该种晶层的CuMn合金或CuAl合金。

18.根据权利要求17所述的方法，其中该金属氧化物层包括MnO或Al₂O₃。

19.根据权利要求16所述的方法，包括以至的厚度沉积该阻障层。

20.根据权利要求16所述的方法，其中是以至的厚度形成该金属氧化物层。