[发明专利]沟槽式功率半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210124175.4 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN103377939A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 许修文 | 申请（专利权）人： | 帅群微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 项荣;姚垚 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
形成一第一磊晶层在该基板上；
形成一介电层在该第一磊晶层上；
形成一遮蔽层在该介电层上；
移除部分该遮蔽层与该介电层，以形成一遮蔽结构与一介电结构在该第一磊晶层上，且该遮蔽结构堆栈在该介电结构上；
以选择性磊晶成长技术，形成一第二磊晶层覆盖在裸露的该第一磊晶层，并环绕该介电结构与该遮蔽结构；
移除该遮蔽结构，以形成一沟槽在该介电结构上方；
形成一栅极氧化层在该沟槽的内侧表面；以及
形成一导电结构在该沟槽内；
其中，该第二磊晶层内具有一本体区与一源极区。
2.如权利要求1所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，该遮蔽层与该介电层为不同的材料。
3.如权利要求1所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，所述移除部分该遮蔽层与该介电层的步骤是以同一道光罩完成，且该遮蔽结构与该介电结构的宽度相同。
4.如权利要求3所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，所述移除部分该遮蔽层与该介电层的步骤是以蚀刻方式先移除部分该遮蔽层，以形成该遮蔽结构，再以该遮蔽结构为蚀刻屏蔽，蚀刻部分该介电层，以形成该介电结构。
5.如权利要求4所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，所述移除该遮蔽结构的步骤，是以选择性蚀刻方式移除该遮蔽结构。
6.如权利要求1所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，该遮蔽层包括一蚀刻终止层与一覆盖层。
7.如权利要求6所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，该覆盖层与该介电层为氧化物，该蚀刻终止层为氮化硅。
8.如权利要求1所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，所述该本体区与该源极区的形成步骤，是完成于该栅极氧化层的形成步骤之后。
9.如权利要求1所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，该本体区或该源极区是以离子植入的方式形成在该第二磊晶层内。
10.如权利要求1所述的沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，该本体区或该源极区是以磊晶成长的方式形成在该第二磊晶层内。
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