[发明专利]热增强型封装有效
申请号: | 201210124148.7 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN102683228A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 柳程琳;善一明·娄 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/538 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增强 封装 | ||
本申请是申请日为2007年1月29日、申请号为200780012013.9(国际申请号为PCT/US2007/002432)、且名称为“热增强型封装”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2006年1月30日提交的申请号为60/763,609的名称为“热增强型封装(Thermal Enhanced Package)”的美国临时申请以及2006年4月3日提交的申请号为60/788,993的名称为“热增强型封装”的美国临时申请的优先权,上述两个美国临时申请被共同转让,并且其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
本发明一般地涉及集成电路封装。更具体地,本发明提供了用于具有热增强性能的集成电路封装的方法和系统。仅仅通过示例,本发明已经被应用于如下的集成电路封装,其中,一个或多个半导体管芯被安装(mount)在导热和/或导电基板上并且被以电介质材料密封。但是,将会认识到本发明具有更广阔的应用范围。
背景技术
许多现代集成电路(IC)的特征在于,由于对小脚印(footprint)和高性能的工业需求而导致高热负荷。随着热负荷和封装密度的增加,传统集成电路(IC)封装不能提供高性能IC所需的热性能和电性能。因此,本领域需要适用于提供具有增强的热性能的集成电路封装的方法和系统。
发明内容
根据本发明的实施例,提供了与集成电路封装有关的技术和系统。更具体地,本发明提供了用于具有热增强性能的集成电路封装的方法和系统。仅仅通过示例,本发明已经被应用于具有一个或多个半导体管芯的集成电路封装,其中,该一个或多个半导体管芯被安装在导热和/或导电基板上并且被电介质材料密封。但是,将会认识到本发明具有更广阔的应用范围。
根据本发明的一个实施例,提供了一种制造集成电路封装的方法。该方法包括:将半导体管芯的第一表面附接到导热和/或导电基板;在半导体管芯的第二表面上形成多个管芯连接器;以及以密封材料来密封半导体管芯和多个管芯连接器。该方法还包括:去除密封材料的一部分,以暴露出多个管芯连接器中的一个或多个,从而形成布线表面。该方法还包括:在布线表面上形成多条导电迹线。多条导电迹线中的每条的特征在于,第一部分与多个管芯连接器中的一个电通信,而第二部分与封装连接器电通信。在一个实施例中,在布线表面之上形成绝缘层,并且在绝缘层上形成多条第二层导电迹线,以形成具有多层布线的集成电路封装。
根据本发明的另一实施例,提供了一种热增强型集成电路封装。该热增强型集成电路封装包括:导热和/或导电基板;管芯附接材料,该管芯附接材料被形成在导热和/或导电基板上;以及半导体管芯,该半导体管芯具有第一表面、多个侧表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面相邻于管芯附接材料。该热增强型集成电路封装还包括:多个管芯连接器和密封层,这多个管芯连接器与设置在半导体管芯的第二表面上的多个管芯焊盘(die pad)电通信,该密封层的特征在于,第一密封表面在位置上相邻于导热和/或导电基板,而第二密封表面与第一表面相对。密封层包围了半导体管芯的多个侧表面并且位于半导体管芯的第二表面的第一部分之上。该热增强型集成电路封装还包括布线层,该布线层被形成在密封层的第二密封表面上。
根据本发明的一个可替代实施例,提供了一种集成电路封装。该集成电路封装包括半导体管芯,该半导体管芯包括第一表面和第二表面,其中,该第一表面被附接到导热和/或导电基板,并且该第二表面与第一表面相对。该集成电路封装还包括:多个管芯连接器和密封材料,这多个管芯连接器被形成在半导体管芯的第二表面上,该密封材料用于密封半导体管芯和多个管芯连接器的一部分。密封材料的布线表面包括多个管芯连接器的暴露部分。该集成电路封装还包括多条导电迹线,这多条导电迹线被形成在布线表面上,其中,这多条导电迹线中的每条的特征在于,第一部分与多个管芯连接器中的一个电通信,而第二部分与封装连接器电通信。在一个实施例中,该集成电路封装还包括被形成在布线表面之上的绝缘层以及被形成在绝缘层上的多条第二层导电迹线,从而形成了具有多层布线的集成电路封装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造