[发明专利]热增强型封装有效
申请号: | 201210124148.7 | 申请日: | 2007-01-29 |
公开(公告)号: | CN102683228A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 柳程琳;善一明·娄 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/48;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/538 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增强 封装 | ||
1.一种制造集成电路封装的方法,该方法包括:
将管芯的第一表面附接到传导基板,所述管芯具有至少一个侧表面;
在所述管芯的第二表面上形成至少一个管芯连接器,所述第二表面与所述第一表面相对;
连续设置包括单个整体材料的密封材料,以以所述密封材料来包围所述管芯的至少一个侧表面和所述管芯的所述第二表面的一部分;
对所述密封材料的比所述至少一个管芯连接器的表面的区域更大的区域进行平坦化,以暴露所述至少一个管芯连接器的表面,同时所述管芯的所述至少一个侧表面和所述管芯的所述第二表面的所述部分保持被封装;
在平坦化区域上形成至少一条导电迹线,其中,所述至少一条导电迹线的特征在于:第一部分与所述至少一个管芯连接器中的一个电通信,且第二部分与封装连接器电通信;
在所述平坦化区域上形成绝缘层;以及
在所述绝缘层上形成至少一条第二层导电迹线,其中所述至少一条第二层导电迹线与所述至少一条导电迹线绝缘,并且与所述至少一个管芯连接器电通信,从而形成具有多层布线的集成电路封装。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述传导基板包括金属基板。
3.如权利要求1所述的方法,还包括形成焊料掩模层,所述焊料掩模层被耦合到所述平坦化区域。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述密封材料包括电介质材料。
5.如权利要求5所述的方法,其中,所述电介质材料包括环氧树脂。
6.如权利要求1所述的方法,其中,对所述密封材料的区域进行平坦化包括对所述密封材料的暴露部分进行磨削。
7.如权利要求1所述的方法,其中,所述封装连接器包括焊料球。
8.一种热增强型集成电路封装,包括:
传导基板;
管芯附接材料,该管芯附接材料被形成在所述传导基板上;
管芯,该管芯具有第一表面、至少一个侧表面和与所述第一表面相对的第二表面,其中,所述第一表面相邻于所述管芯附接材料;
在所述管芯的所述第二表面上的至少一个管芯连接器;
密封层,该密封层包括单个整体材料,该单个整体材料被连续地设置为包围所述管芯的所述至少一个侧表面并且位于所述管芯的所述第二表面的至少一部分之上;
形成在所述密封层上的布线层,所述布线层包括至少一条导电迹线,其中,所述至少一条导电迹线的特征在于:第一部分与所述至少一个管芯连接器中的一个电通信,且第二部分与封装连接器电通信;
所述布线层之上的绝缘层;以及
所述绝缘层上的第二层布线层,其中所述第二层布线层包括与所述至少一条导电迹线绝缘并且与至少一个管芯连接器电通信的至少一条第二层导电迹线。
9.如权利要求8所述的热增强型集成电路封装,其中,所述密封层从所述管芯的所述第二表面跨越到所述布线层。
10.如权利要求8所述的热增强型集成电路封装,还包括:
第一过孔,该第一过孔从所述布线层通到所述传导基板,其中,所述第一过孔适于与第一电压电势电通信;
第二过孔,该第二过孔从所述布线层通到所述传导基板,其中,所述第二过孔适于与第二电压电势电通信;以及
镀覆层,该镀覆层适于接收焊料并且被耦合到所述布线层。
11.如权利要求10所述的热增强型集成电路封装,还包括电容器,该电容器被耦合到所述传导基板,其中,所述电容器的第一端子与所述第一过孔电通信,且所述电容器的第二端子与所述第二过孔电通信。
12.如权利要求8所述的热增强型集成电路封装,其中,所述传导基板包括铜基板。
13.如权利要求8所述的热增强型集成电路封装,其中,所述至少一个管芯连接器是从由铜凸块和金凸块组成的组中选择的。
14.如权利要求8所述的热增强型集成电路封装,其中,所述密封材料包括电介质材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造