[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶面板制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占了主导地位。

现有技术中TFT-LCD的结构由阵列基板、彩膜基板以及充满两基板之间的液晶组成。其中阵列结构和彩膜结构分别在两张不同的玻璃基板上形成。阵列基板包括栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，一般采用四次构图工艺来完成TFT的制作。彩膜基板包括黑矩阵、彩色光刻胶、保护层和透明导电层，也需要四次构图工艺完成彩膜结构的制作，该构图工艺包括了光刻胶的涂敷、掩膜、曝光与剥离的过程，每次构图工艺都需要使用掩膜板，而掩膜板价格昂贵。完成TFT-LCD结构的制作共需要至少八次构图工艺，制造步骤较多，生产成本较高。

发明内容

本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，能够减少TFT-LCD的制造步骤，降低生产成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种TFT阵列基板，包括：

基板；

所述基板上形成有栅极、栅线和遮光条；

所述栅极上依次形成有栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极及沟道结构；所述栅绝缘层与所述半导体有源层相接触；

所述源极、所述漏极和所述栅极上方形成有钝化层；

所述栅绝缘层上方形成有像素电极及位于所述像素电极上方的带有至少一种原色滤光层；所述像素电极与所述漏极电连接。

一方面，提供一种液晶显示器，包括上述任一所述的TFT阵列基板。

一方面，提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：

在基板上沉积金属层，通过第一次构图工艺处理得到栅极、栅线和遮光条；

在所述栅极、栅线和遮光条上连续沉积栅绝缘层、半导体有源层、源漏极金属层，通过第二次构图工艺处理得到数据线、源极、漏极及沟道结构；

在所述基板上沉积钝化层，通过第三次构图工艺处理露出所述漏极；

在所述钝化层上沉积透明导电薄膜层，通过构图工艺处理得到像素电极及位于所述像素电极上的带有至少一种原色滤光层，其中，所述像素电极与所述漏极电连接。

本发明实施例提供的一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，包括：基板；所述基板上形成有栅极、栅线和遮光条；所述栅极上依次形成有栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极及沟道结构；所述栅绝缘层与所述半导体有源层相接触；所述源极、所述漏极和所述栅极上方形成有钝化层；所述栅绝缘层上方形成有像素电极及位于所述像素电极上方的带有至少一种原色滤光层；所述像素电极与所述漏极电连接。这样一来，制造上述TFT阵列基板时，通过构图工艺处理得到位于像素电极上的带有至少一种原色滤光层的同时得到像素电极，相对于现有技术，减少了TFT-LCD制造过程中掩膜板使用的次数，因此减少了TFT-LCD的制造步骤，降低了生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种TFT阵列基板的制造方法流程图；

图2为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法中第一次构图工艺完成后结构示意图；

图3为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法中第二次构图工艺完成后结构示意图；

图4为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法中第三次构图工艺完成后结构示意图；

图5为本发明实施例提供另一种TFT阵列基板的制造方法中第三次构图工艺完成后结构示意图；

图6为本发明实施例提供的通过构图工艺处理得到带有原色滤光层及像素电极的流程图；

图7为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法中第四次构图工艺完成后结构示意图；

图8为本发明实施例提供的TFT阵列基板的制造方法中第六次构图工艺完成后结构示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种通过构图工艺处理得到带有原色滤光层及像素电极的流程图；