[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上形成有栅极、栅线和遮光条；

所述栅极上依次形成有栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极及沟道结构；所述栅绝缘层与所述半导体有源层相接触；

所述源极、所述漏极和所述栅极上方形成有钝化层；

所述栅绝缘层上方形成有像素电极及位于所述像素电极上方的至少一种原色滤光层；所述像素电极与所述漏极电连接。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，

所述带有原色滤光层由原色光刻胶制成。

3.根据权利要求1或2所述的TFT阵列基板，其特征在于，

所述带有原色滤光层上方形成有黑矩阵。

4.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1至3任一所述的TFT阵列基板。

5.一种用于制造如权利要求1所述的TFT阵列基板的方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积金属层，通过第一次构图工艺处理得到栅极、栅线和遮光条；

在所述栅极、栅线和遮光条上连续沉积栅绝缘层、半导体有源层、源漏极金属层，通过第二次构图工艺处理得到数据线、源极、漏极及沟道结构；

在所述基板上沉积钝化层，通过第三次构图工艺处理露出所述漏极；

在所述钝化层上沉积透明导电薄膜层，通过构图工艺处理得到像素电极及位于所述像素电极上的原色滤光层，其中，所述像素电极与所述漏极电连接。

6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，通过构图工艺处理得到像素电极及位于所述像素电极上的带有至少一种原色滤光层包括：

在所述透明导电薄膜层上，沉积原色光刻胶；

通过半色调或灰色掩膜板对所述光刻胶进行曝光，形成非曝光区、部分曝光区和完全曝光区，其中，所述非曝光区对应所述透明导电薄膜层上带有所述原色滤光层预设位置，所述部分曝光区域对应所述透明导电薄膜层上带有非所述原色滤光层预设位置，所述完全曝光区域对应除所述部分曝光区和非曝光区外的其他区域；

显影后，对位于所述完全曝光区的透明导电薄膜层进行刻蚀，得到像素电极；

对位于所述部分曝光区的光刻胶进行灰化处理，保留位于所述非曝光区的带有所述原色光刻胶。

7.根据权利要求5所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，通过构图工艺处理得到像素电极及位于所述像素电极上的原色滤光层包括：

在所述透明导电薄膜层上，沉积第一原色光刻胶；

通过构图工艺对所述带有第一原色光刻胶进行曝光、显影、烘烤处理，形成第一原色滤光层；所述带有第一原色滤光层位于所述透明导电薄膜层上所述带有第一原色滤光层预设位置；

重复上述对原色光刻胶的沉积、曝光、显影、烘烤处理，形成带有第n原色滤光层；所述n为正整数；所述带有第n原色滤光层位于所述透明导电薄膜层上所述带有第n原色滤光层预设位置；

将暴露在所述带有原色滤光层间的透明导电薄膜层刻蚀形成像素电极。

8.根据权利要求5至7所述任一TFT阵列基板制造方法，其特征在于，还包括：

在所述带有原色滤光层上沉积遮光性材料，通过构图工艺处理得到黑矩阵。