[发明专利]SRAM存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种SRAM存储器，包括：包含多个存储单元的存储单元阵列，每个存储单元包括至少一个下拉NMOS晶体管、一个传输NMOS晶体管和一个上拉PMOS晶体管；

其特征在于，所述下拉NMOS晶体管和上拉PMOS晶体管的表面形成有一层拉应力层。

2.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述拉应力层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的一种或几种的组合。

3.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述拉应力层的厚度范围为50埃～2000埃。

4.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述拉应力层的应力在0.5Gpa～1.5Gpa范围内。

5.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述SRAM存储器为6T结构或者8T结构。

6.如权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，所述SRAM存储器为6T结构，其每个存储单元分别包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管以及第四NMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管为上拉PMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管为下拉NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管为传输NMOS晶体管；

所述字线与第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的栅极电连接；

所述位线包括第一位线和第二位线，第一位线和第二位线分别与第三NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的源极电连接；

第一PMOS晶体管的源极和第二PMOS晶体管的源极与电源线电连接；

第一NMOS晶体管的漏极和第二NMOS晶体管的漏极与地线电连接；

第一PMOS晶体管的栅极、第一NMOS晶体管的栅极、第二PMOS晶体管的漏极、第二NMOS晶体管的源极、第四NMOS晶体管的漏极电连接；第二PMOS晶体管的栅极、第二NMOS晶体管的栅极、第一PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的源极、第三NMOS晶体管的漏极电连接。

7.一种SRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：

形成包含多个存储单元的存储单元阵列，每个存储单元包括至少一个下拉NMOS晶体管、一个传输NMOS晶体管和一个上拉PMOS晶体管；

形成覆盖所述下拉NMOS晶体管和上拉PMOS晶体管表面的拉应力层。

8.如权利要求7所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的材料为氧化硅、氮化硅、或氮氧化硅的一种或几种的组合。

9.如权利要求7所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，所述拉应力层的厚度范围为50埃～2000埃；所述拉应力层的应力在0.5Gpa～1.5Gpa的范围内。

10.如权利要求7所述的SRAM存储器的形成方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述拉应力层。