[发明专利]晶圆检测装置及检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体检测技术，特别涉及一种能调整墨滴尺寸的晶圆检测装置及检测方法。

背景技术

在半导体工艺中，随着晶圆尺寸的增大及元器件尺寸的缩小，一片晶圆可依需要划分为数千个相同或不同的晶粒。由于工艺设计、制造及材料本身的特性，最终完成的晶圆通常含有部分缺陷晶粒。因此，在半导体制作工艺的后端工艺中，通常还会利用测试机台来测试晶圆上的每一个晶粒，以确保出厂的每一个晶粒的电气特性与效能符合设计规格。在测试的过程中，如果发现缺陷晶粒则需要标记。

现有技术中对缺陷晶粒进行标记的方法主要有三种，包括用墨水喷涂在缺陷晶粒上、用电子枪或激光使缺陷晶粒产生刻痕、或用计算机记录整片晶圆上正常晶粒及缺陷晶粒的位置从而获得晶圆缺陷图表。利用电子枪或激光生成的标记不容易有肉眼直接判断，只能依靠机器来辨别，应用范围较窄，成本较高。而利用计算机记录整片晶圆上正常晶粒及缺陷晶粒的位置时，由于不同晶圆具有不同的晶圆缺陷图表，计算机内存储的晶圆缺陷图表可能无法准确地对应于实际晶圆，且计算机内存储的晶圆缺陷图表可能遗失或损坏(因计算机操作不当或人为疏忽)。因此，虽然利用墨水喷涂在缺陷晶粒进行标记的方法已使用了较长的时间，但仍有很多半导体厂商利用墨水喷涂在缺陷晶粒进行标记。

但是由于晶粒的尺寸很小，喷涂在所述缺陷晶粒表面的墨滴的尺寸也很小，测试机台中较细的喷墨口不容易控制墨滴的大小，且即使是同一瓶的墨-水中墨水的粘稠度也会有差异，通入喷墨头的墨水中可能还存在气泡，可能使得某段时间喷墨头喷出的墨滴的尺寸过大或过小，当墨滴过小时，测试机台和肉眼都不容易分辨缺陷晶粒，当墨滴过大时，墨水会覆盖在缺陷晶粒周围的正常晶粒的表面，使得所述正常晶粒报废。

在现有技术中，当测试员发现喷涂在所述缺陷晶粒表面的墨滴的尺寸过大或过小时，只能停止晶圆测试工艺，将正在检测的晶圆从测试机台中取出，并在测试机台中放置一块报废的晶圆，让测试机台在报废的晶圆上进行喷墨，直到喷出的墨滴尺寸恢复正常，符合一定的规格后，再将报废的晶圆从测试机台中取出，将正在检测的晶圆重新放入测试机台继续检测。但利用所述方法不仅需要人工操作，且晶圆从测试机台拿进拿出会使得墨滴大小调整的时间变长，从而使得整个晶圆的测试时间变长。

更多关于利用墨水进行标记的技术请参考公开号为CN101197350A的中国专利文献。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种能调整标记墨滴的尺寸的晶圆检测装置及检测方法。

为解决上述问题，本发明技术方案提供了一种晶圆检测装置，包括：

承片台，用于承载晶圆；

晶圆检测单元，用于检测晶圆中的缺陷晶粒；

喷墨单元，根据测试结果在晶圆中缺陷晶粒的表面喷涂上墨滴；

墨滴调整单元，用于调整喷墨单元喷涂出的墨滴的尺寸，当喷涂在缺陷晶粒表面的墨滴尺寸不符合规格时，将喷墨单元在所述墨滴调整单元上喷涂墨滴，直到喷涂在所述墨滴调整单元表面的墨滴的尺寸调整到符合规格时，再将喷墨单元移回晶圆的上方或将晶圆移回喷墨单元的下方，使喷墨单元重新根据测试结果在晶圆中缺陷晶粒的表面喷涂上墨滴；

墨滴检测单元，用于检测墨滴调整单元表面墨滴的尺寸是否符合规格。

可选的，所述墨滴调整单元为金属基板、半导体基板或陶瓷基板。

可选的，在所述金属基板、半导体基板、陶瓷基板表面还粘贴有一层金属箔胶带。

可选的，还包括：与所述承片台和墨滴调整单元相连接的传动单元，利用所述传动单元移动所述承片台和墨滴调整单元。

可选的，还包括：与所述喷墨单元相连接的传动单元，利用所述传动单元移动所述喷墨单元。

可选的，当喷墨单元在晶圆表面喷涂墨滴时，喷墨单元与晶圆之间的间距为第一间距，当喷墨单元在墨滴调整单元表面喷涂墨滴时，喷墨单元与墨滴调整单元之间的间距为第二间距，所述第一间距和第二间距相等。

可选的，所述墨滴检测单元包括摄像头和显示器，所述摄像头位于晶圆检测装置内用于拍摄喷涂于墨滴调整单元或晶圆表面的墨滴，所述显示器用于显示摄像头拍摄的墨滴，用户根据显示器上显示的墨滴判断墨滴尺寸是否符合规格。

可选的，所述墨滴检测单元包括摄像头和墨滴尺寸检测模块，所述摄像头位于晶圆检测装置内用于拍摄喷涂于墨滴调整单元或晶圆表面的墨滴，所述墨滴尺寸检测模块利用摄像头拍摄到的墨滴判断墨滴尺寸是否符合规格。

可选的，所述墨滴检测单元还检测晶圆表面墨滴的尺寸。