[发明专利]加成固化型有机硅组合物以及使用它的光半导体装置

权利要求书

1.对光半导体装置的自粘合性加成固化型有机硅组合物，其中，所述组合物含有：

(A)在一分子中具有至少两个与硅原子键合的烯基的有机聚硅氧烷：100质量份；

(B)在一分子中具有至少两个与硅原子键合的氢原子和至少一个烷氧基的有机氢聚硅氧烷：总Si-H基数相对于上述(A)成分的总烯基数为1.4～5.0倍的量；

(C)气相二氧化硅：相对于(A)、(B)成分的合计100质量份为8～30质量份；

(D)白色颜料；

(E)固化催化剂。

2.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其特征在于，使用E型粘度计时转速为1rpm时的25℃下的粘度为70Pa·s以上且500Pa·s以下，其与25℃下5rpm下的粘度之比即1rpm/5rpm粘度比(触变系数)为2.5以上。

3.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其特征在于，通过分配装置由针嘴涂布在基材上的有机硅组合物固化前及加热固化后的高度/宽度之比为0.8以上。

4.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其特征在于，将加成固化型有机硅组合物以2mm厚度成形、固化后的片材的450nm光的光反射率为90％以上。

5.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其中，作为(A)成分的在一分子中具有至少两个与硅原子键合的烯基的有机聚硅氧烷为并用了硅油和有机硅树脂的有机聚硅氧烷。

6.根据权利要求1所述的有机硅组合物，其中，作为(B)成分的有机氢聚硅氧烷选自下述式，

上述式中，m、n、p、q、r分别为0≤m＜200、1≤n＜200、1≤p＜10、1≤q＜10、1≤r＜10。

7.光半导体装置的制造方法，其中，所述方法具有以下工序：使用分配装置并利用权利要求1～6中任一项所述的有机硅组合物在光半导体装置的基板上形成用于不使未固化状态的液状密封材料流出的高度0.5mm以上的坝；根据需要对有机硅组合物的坝进行加热固化；在该坝内浇注密封材料；在不使该密封材料或有机硅组合物的坝固化的情况下通过对其和该密封材料进行加热固化来进行一体化成形。

8.光半导体装置，其通过权利要求7所述的方法而得到。