[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一器件表面，其覆盖所述衬底，所述第一器件表面包括至少三个焊垫，其中，所述至少三个焊垫包括：

漏焊垫；

栅焊垫；以及

源焊垫；

多个挖有沟槽的栅结构，其被耦合到所述栅焊垫，所述多个挖有沟槽的栅结构被配置为在电压被施加于所述栅焊垫时，控制所述源焊垫与所述漏焊垫之间的电流的流动；

第一导电层，其包括：

漏接触区，所述漏接触区被耦合到所述漏焊垫；

栅道，所述栅道被耦合到所述栅焊垫；以及

源接触区，其被耦合在所述源焊垫与所述多个挖有沟槽的栅结构之间；

以及

第二导电层，所述第二导电层的至少一部分使用电介质与所述第一导电层的至少一部分分离，其中，所述第二导电层包括漏导体，所述漏导体的至少一部分覆盖所述栅道的至少一部分，其中，所述漏导体被耦合到所述漏接触区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏导体的一部分覆盖所述源接触区的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏导体包括所述漏焊垫。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，包括将所述漏接触区耦合到所述漏焊垫的漏通孔。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，包括被配置为将所述栅道与所述栅焊垫耦合的栅通孔。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅道包括多晶硅。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅道包括覆盖所述多晶硅的第一金属，其中，所述第一导电层包括所述第一金属。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述多晶硅包括硅化的多晶硅。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括被配置为支撑所述栅道的沟槽。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述衬底包括外延层，并且其中，所述外延层包括所述沟槽。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层包括耦合到所述栅道的栅导体。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述栅导体包括所述栅焊垫。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述栅导体的至少一部分覆盖所述源接触区的至少一部分。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层包括耦合到所述源接触区的源导体。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述源导体包括所述源焊垫。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，包括第三导电层，所述第三导电层的至少一部分使用电介质与所述第二导电层的至少一部分分离或者覆盖所述第二导电层的至少一部分。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，所述第三导电层包括所述至少三个焊垫。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少三个焊垫中的每一个焊垫包括大体上彼此共面的顶面。

19.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少三个焊垫包括可软焊的材料。

20.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏接触区具有大体上均匀的宽度，并且在所述半导体器件的周边附近延伸。