[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型区和N型区；

在所述P型区上形成P型栅极和位于P型栅极两侧的P型栅极侧墙，在所述N型区上形成N型栅极和位于N型栅极两侧的N型栅极侧墙；

去除所述N型栅极侧墙；

在所述N型区上依次形成拉应力层和掩膜层；

去除所述P型栅极侧墙；以及

在所述P型区上覆盖压应力层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述N型栅极侧墙的步骤包括：

在所述半导体衬底上涂覆第一光刻胶；

利用曝光和显影工艺，去除位于所述N型区上的第一光刻胶；

以剩余的第一光刻胶为掩膜，刻蚀去除所述N型栅极侧墙。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除所述P型栅极侧墙的步骤包括：

在所述半导体衬底上涂覆第二光刻胶；

利用曝光和显影工艺，去除位于所述P型区上的第二光刻胶；

以剩余的第二光刻胶为掩膜，刻蚀去除所述P型栅极侧墙。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述N型区上依次形成拉应力层和掩膜层的步骤包括：

在所述半导体衬底上依次覆盖拉应力层薄膜和掩膜层薄膜；

利用光刻和刻蚀工艺，去除位于所述P型区上的拉应力层薄膜和掩膜层薄膜，以在N型区上形成拉应力层和掩膜层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述拉应力层薄膜的反应气体包括硅烷、氨气和氮气，所述硅烷的流量为20～200sccm，氨气的流量为200～1500sccm，氮气的流量为500～5000sccm，环境温度为300～500℃，环境压力为1～10Torr，高频射频能量为50～300w。

6.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述掩膜层薄膜的反应气体包括氮气，氦气、氧气和四乙基原硅酸盐，氮气的流量为2000～5000sccm，氦气的流量为5000～20000sccm，氧气的流量为5000～20000sccm，四乙基原硅酸盐的流量为1～5gm，环境温度为300～500℃，环境压力400～700Torr。

7.如权利要求1或4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述拉应力层的材质为氮化硅，所述拉应力层厚度为200～800埃。

8.如权利要求1或4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述拉应力层的拉应力范围为500～2000MPa。

9.如权利要求1或4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为二氧化硅，所述掩膜层的厚度为200～1000埃。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述P型区上形成压应力层的步骤包括：

在所述半导体衬底上覆盖压应力层薄膜；

利用光刻和刻蚀工艺，去除位于所述N型区上的压应力层薄膜，以在所述P型区上形成压应力层。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压应力层薄膜的反应气体包括硅烷、氨气、氢气和氩气，所述硅烷的流量为20～200sccm，氨气的流量为50～500sccm，氢气的流量1000～5000sccm，所述氩气的流量1000～5000sccm，环境温度为400～550℃，环境压力1～10Torr，高频射频能量50～200w，低频射频能量10～100w。

12.如权利要求1或10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压应力层的材质为氮化硅，所述压应力层的厚度为200～800埃。

13.如权利要求1或10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述压应力层的拉应力范围为-1.0～-4.0GPa。