[发明专利]软性基板、具有该软性基板的显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210118305.3 | 申请日: | 2012-04-20 |
公开(公告)号: | CN103137629A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 蒋承忠;林柏青;蔡奇哲;吴威谚;许惠珍;陈钰尧;吴宜姿 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 软性 具有 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种软性基板及具有该软性基板的显示装置,且特别是涉及一种可调整软性基板与玻璃载板之间附着力的软性基板、具有其的显示装置及其制造方法。
背景技术
传统的显示装置,常选择玻璃基板作为材料。然而,玻璃基板易碎且不具可挠性。因此,使用玻璃基板制成的显示装置对外来的应力的容忍较差,且无法用于可挠性的显示装置的开发。相较之下,软性基板具有可挠曲及较佳的强度与韧性,且相较于玻璃基板又更为轻薄。市场上,使用软性基板取代玻璃基板制作而成的显示装置逐渐成为趋势。
由于软性基板本身的刚性及机械强度都不及玻璃基板,在制作软性基板时,常需要以硬式基板或玻璃基板当作载板,作为软性基板的制造过程中的支撑结构,待软性基板形成后,再将软性基板与玻璃载板分离,以将软性基板取下利用,并将玻璃载板回收利用。因此,软性基板与玻璃载板之间的附着力,影响到软性基板的制造品质及生产率,以及玻璃载板的回收的简便性。
若软性基板与玻璃载板之间附着力太强,不但不易平整地取下所希望利用的软性基板,而且残留在玻璃载板的软性基材,也会影响到硬式基板的回收使用。若软硬基板与玻璃载板之间的附着力太弱时,软性基板在制造过程中可能会脱落,造成软性基板的制造失败。
发明内容
本发明的目的在于提供一种软性基板及具有该软性基板的显示装置。利用特殊的第一高分子层调整软性基板与玻璃载板之间的附着力,提高软性基板的制造品质及良率。
根据本发明的第一方面,提出一种软性基板,包括第一高分子层及第二高分子层。第一高分子层包括聚酰胺酸(PAA)、聚亚酰胺、环氧化合物及光致抗蚀剂材料至少一者,第一高分子层形成于一玻璃载板上。第二高分子层形成于第一高分子层上,第二高分子层包括聚亚酰胺及透明聚合物薄膜至少一者。
根据本发明的第二方面,提出一种显示装置,包括一第一基板、一第二基板、一显示介质层及一驱动电路。第一基板包括第一高分子层及第二高分子层。第一高分子层包括聚酰胺酸、聚亚酰胺、环氧化合物及光致抗蚀剂材料至少一者,第一高分子层形成于一玻璃载板上。第二高分子层形成于第一高分子层上,第二高分子层包括聚亚酰胺及透明聚合物薄膜至少一者。第二基板与第一基板相对而设。显示介质层,设置于第一基板与第二基板之间。驱动电路设置于第一基板与第二基板之间,用以驱动显示介质层。
根据本发明的第三方面,提出一种制造显示装置的方法。方法包括以下步骤。提供一第一基板,包括形成一第一高分子层于一玻璃载板上,第一高分子层包括聚酰胺酸、聚亚酰胺、环氧化合物及光致抗蚀剂材料至少一者,且第一高分子层与玻璃载板的附着力可调整。形成第二高分子层于第一高分子层上,第二高分子层包括一聚亚酰胺及透明聚合物薄膜至少一者。将第一基板从玻璃载板剥除。提供一第二基板。形成一显示介质层于第一基板与第二基板之间。形成一驱动电路于第一基板与第二基板之间,以驱动显示介质层。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
附图说明
图1A~图1G为本发明第一实施例的软性基板的制造流程图;
图2A~图2D为本发明第二实施例的软性基板的制造流程图;
图3A~图3C为本发明第三实施例的软性基板的制造流程图;
图4A~图4E为本发明第四实施例的软性基板的制造流程图;
图5A~图5D为本发明第五实施例的软性基板的制造流程图;
图6A~图6D为本发明第六实施例的软性基板的制造流程图;
图7A~图7D为本发明第七实施例的软性基板的制造流程图;
图8为本发明一实施例的有机发光二极管显示装置的示意图;
图9为本发明一实施例的液晶显示装置的示意图;
图10为本发明一实施例的电子纸显示装置的示意图。
主要元件符号说明
8~12:显示装置
10、20、30、40、50、60、70:软性基板
80、90、110:驱动电路
100、200、300、400、400’、500、600、700:玻璃载板
120、120’、120’a、420、420a、520、520a、620、620a、720、720a:第三高分子层
140、140a、240、340、340a、440、440a、540、540a、640、640a:第一高分子层
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的