[发明专利]软性基板、具有该软性基板的显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210118305.3 | 申请日: | 2012-04-20 |
公开(公告)号: | CN103137629A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 蒋承忠;林柏青;蔡奇哲;吴威谚;许惠珍;陈钰尧;吴宜姿 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 软性 具有 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种软性基板,包括:
第一高分子层,该第一高分子层包括一聚酰胺酸(PAA)、一聚亚酰胺、一环氧化合物及一光致抗蚀剂材料至少一者,该第一高分子层形成于一玻璃载板上;以及
第二高分子层,形成于该第一高分子层上,该第二高分子层包括一聚亚酰胺(PI)及一透明聚合物薄膜至少一者。
2.如权利要求1所述的软性基板,其中该环氧化合物与该聚酰胺酸的重量比例为0.1%至10%的重量比。
3.如权利要求1所述的软性基板,其中该第一高分子层与该玻璃载板之间具有一附着力,该附着力等级为0B至4B。
4.如权利要求3所述的软性基板,其中该第一高分子层与该玻璃载板之间的该附着力,通过该环氧化合物添加于聚酰胺酸的重量比例调整。
5.如权利要求4所述的软性基板,还包括第三高分子层,贴附于该第一高分子层与该玻璃载板之间,该第三高分子层包括一聚硅氧烷、一聚四氟乙烯、该聚亚酰胺及该聚酰胺酸至少一者。
6.如权利要求5所述的软性基板,其中该第三高分子层的表面积小于该第一高分子层的表面积。
7.如权利要求1所述的软性基板,还包括彩色滤光片或薄膜晶体管,设置于该第一高分子层的表面上。
8.如权利要求1所述的软性基板,其中该第二高分子层包括一胶材及一第二高分子材料,该胶材设置于该第二高分子材料及该第一高分子层之间,该胶材用以贴合该第一高分子层及该第二高分子材料。
9.一种显示装置,包括:
第一基板,该第一基板包括:
第一高分子层,形成于一玻璃载板上,该第一高分子层包括一聚酰胺酸、一聚亚酰胺、一环氧化合物及一光致抗蚀剂材料至少一者;及
第二高分子层,形成于该第一高分子层上,该第二高分子层包括该聚亚酰胺及一透明聚合物薄膜至少一者;
第二基板,与该第一基板相对而设;
显示介质层,设置于该第一基板与该第二基板之间;以及
驱动电路,设置于该第一基板与该第二基板之间,用以驱动该显示介质层。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中该第一基板为一软性基板,且该第二基板相同于该第一基板。
11.如权利要求9所述的显示装置,其中该环氧化合物与该聚酰胺酸的重量比例为0.1%至10%的重量比。
12.如权利要求9所述的显示装置,其中该第一高分子层与该玻璃载板之间具有一附着力,该附着力等级为0B至4B。
13.如权利要求9所述的显示装置,其中该显示介质层包括一有机发光二极管、一液晶及一电子墨水三者至少其中一个。
14.一种显示装置的制造方法,包括:
提供一第一基板,包括:
形成一第一高分子层于一玻璃载板上,该第一高分子层包括一聚酰胺酸、一聚亚酰胺、一环氧化合物及一光致抗蚀剂材料至少一者,且该第一高分子层与该玻璃载板的附着力可调整;
形成一第二高分子层于该第一高分子层上,该第二高分子层包括该聚亚酰胺及一聚合物薄膜至少一者;及
将该第一基板从该玻璃载板剥除;
提供一第二基板;
形成一显示介质层于该第一基板与该第二基板之间;以及
形成一驱动电路于该第一基板与该第二基板之间,以驱动该显示介质层。
15.如权利要求14所述的方法,其中形成该第一高分子层于该玻璃载板上的步骤包括:
涂布一第一高分子材料于该玻璃载板上,该第一高分子材料包括该聚酰胺酸、该聚亚酰胺、该环氧化合物及该光致抗蚀剂材料至少一者;
以80度C~450度C的温度加热该第一高分子材料以形成该第一高分子层于该玻璃载板上。
16.如权利要求15所述的方法,其中形成该第二高分子层于该第一高分子层上的步骤包括:
涂布一第二高分子材料于该玻璃载板,该第二高分子材料包括该聚亚酰胺及该透明聚合物薄膜至少一者;
以150度C~450度C的温度加热该第二高分子材料,以形成该第二高分子层于该第一高分子层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的