[发明专利]具有过压保护的半导体器件及基于该器件的双向极性器件有效

申请号：	201210116554.9	申请日：	2012-04-20
公开（公告）号：	CN102655169A	公开（公告）日：	2012-09-05
发明（设计）人：	谢可勋;西里奥艾珀里亚科夫	申请（专利权）人：	谢可勋;浙江美晶科技有限公司
主分类号：	H01L29/45	分类号：	H01L29/45;H01L29/06
代理公司：	湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232	代理人：	赵卫康
地址：	313000 浙江省***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	具有保护半导体器件基于器件双向极性
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【权利要求书】：

1.一种具有过压保护的半导体器件，其特征在于，它包括：

呈第一导电类型的衬底（10），

设于所述衬底（10）上部的至少两个呈第二导电类型的第一区域（11）,

设于所述第一区域（11）上部的呈第一导电类型的第二区域（13）；

每个第一区域（11）的上部至少设有一个第二区域（13）;所述衬底（10）在相邻第一区域（11）之间形成第一开口区域（12）；每个第一开口区域（12）处都设有一个连接所述衬底（10）及相邻第一区域（11）的呈第二导电类型的第三区域（14）；

所述衬底（10）的下部设有呈第二导电类型的第四区域（15）；所述第三区域（14）上方设有第一绝缘层（16），且所述相应第一绝缘层（16）沿相应第三区域（14）的两侧延伸并覆盖部分第一区域（11）；第二区域（13）与第一区域（11）都连接有第一金属接触（17）;所述第四区域（15）连接有第二金属接触（18）。

2.一种具有过压保护的双向极性半导体器件，其特征在于，它包括：

呈第一导电类型的衬底（10），

设于所述衬底（10）上部的至少两个呈第二导电类型的第一区域（11），

设于所述衬底（10）下部的至少两个呈第二导电类型的第五区域（19），

设于所述第一区域（11）上部的呈第一导电类型的第二区域（13），

设于所述第五区域（19）下部的呈第一导电类型的第六区域（20）;

每个第一区域（11）的上部至少设有一个第二区域（13）;每个第五区域（19）的下部至少设有一个第六区域（20）；

所述衬底（10）在相邻第一区域（11）之间形成第一开口区域（12）；每个第一开口区域（12）处都设有一个连接所述衬底（10）及相邻第一区域（11）的呈第二导电类型的第三区域（14）；

所述衬底（10）在相邻第五区域（19）之间形成第二开口区域（21）；每个第二开口区域（21）处都设有一个连接所述衬底（10）及相邻第五区域（19）的呈第二导电类型的第七区域（22）；

所述第三区域（14）上方设有第一绝缘层（16），且所述相应第一绝缘层（16）沿相应第三区域（14）的两侧延伸并覆盖部分第一区域（11）；

所述第七区域（22）的下方设有第二绝缘层（23），且所述相应第二绝缘层（23）沿相应第七区域（22）的两侧延伸并覆盖部分第五区域（19）；

第二区域（13）与第一区域（11）都连接有第一金属接触（17）;第五区域（19）与第六区域（20）都连接有第三金属接触（24）。