[发明专利]芯片过温监测器有效
申请号: | 201210114277.8 | 申请日: | 2012-04-18 |
公开(公告)号: | CN102620843A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 汪宁;汪辉;章琦;袁盾山 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | G01K1/02 | 分类号: | G01K1/02;G01K7/00 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 监测器 | ||
技术领域
本发明是关于一种芯片过温监测器,特别涉及一种能够实现保护点和启动点具有迟滞效应的芯片过温监测器。
背景技术
集成电路芯片是一种具有极高电学精度的电子元件,因此芯片工作时对环境温度十分敏感。环境温度过高会造成芯片中某些元件的工作状态发生改变,导致芯片无法正常存储或者处理数据。故特别需要一种芯片过温监测装置,能够监测芯片的温度是否过高,并在超出设定温度时发出信号,通知芯片进行保护性操作,避免发生意外。
现有技术中的芯片过温监测器通常是设定一监控温度。当芯片超过此监控温度时,芯片过温监测器发出一过温保护信号给芯片控制单元,通知芯片暂停工作或者实施其他保护措施;当芯片温度低于此监控温度时,再发出一解除保护信号给芯片控制单元,通知其开始正常工作。
上述技术的缺点在于,如果芯片的温度恰好在设定的监控温度上下浮动,会造成过温监测器频繁的发出过温保护信号和过温保护解除信号给芯片控制单元,导致芯片频繁动作。这将使芯片的寿命严重降低,并影响到使用该芯片的装置或者系统的工作效率。
因此,能够设计一种实现保护点和启动点具有迟滞效应的芯片过温监测器,是现有技术亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种芯片过温监测器,能够实现过温保护点和降温启动点之间的迟滞效应。
为了解决上述问题,本发明提供了一种芯片过温监测器,包括:温度感测单元,所述温度感测单元的输出信号随温度变化呈一致性变化;参考信号单元,所述参考信号单元的输出信号随温度变化呈一致性变化,且该变化方向与所述温度感测单元的变化方向相反,或者所述参考信号单元的输出信号不随温度变化;比较单元,所述比较单元具有与所述温度感测单元连接的第一输入端,和与参考信号单元连接的第二输入端,以及一输出端,所述比较单元能够根据对第一输入端与第二输入端的值的比较结果输出一信号;输出单元,所述输出单元的输入端与比较单元的输出端连接,所述输出单元的第一输出端输出一监测信号至外部,所述输出单元的第二输出端与参考信号单元的反馈信号输入端连接,输出一反馈信号至参考信号单元,控制参考信号单元根据比较单元的反馈信号的值来确定输出第一或第二参考信号至比较单元的第二输入端,从而实现超温保护点和降温启动点之间的迟滞效应。
可选的,所述温度感测单元包括一第一电流源和一三极管,所述第一电流源的输出端与三极管的发射极连接,所述三极管的基极和集电极共连接并接地,所述温度感测单元的输出端为第一电流源和三极管发射极的共连接端。
可选的,所述参考信号单元包括一第二电流源、一第一电阻、一第二电阻以及一控制晶体管,所述第二电流源的输出端连接至第一电阻的第一端,所述第一电阻的第二端连接至第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端接地,所述控制晶体管的源极和漏极分别连接至第二电阻的第一端和第二端;所述参考信号单元的输出端为第二电流源和第一电阻第一端的共连接端,所述参考信号单元的反馈信号输入端为所述控制晶体管的栅极。
可选的,所述比较单元为一比较器,所述比较单元的第一、第二输入端和输出端分别为所述比较器的负、正输入端和输出端。
可选的,所述输出单元包括第一反向器和第二反向器,所述第一反向器的输出端连接至第二反向器的输入端;所述输出单元的输入端为第一反向器的输入端,所述输出单元的第一输出端为所述第二反向器的输出端,所述输出单元的第二输出端为所述第一反向器的输出端与第二反向器的输入端的共连接端。
本发明的优点在于,采用了从输出单元至参考信号单元的反馈机制,当芯片温度升高至温度报警阈值之后,随着输出单元输出报警信号,并同时反馈至参考信号单元来调整后者输出的参考信号值,使温度感测单元在芯片降温过程中直至芯片温度降低至低于温度的另一温度释放阈值时,才取消芯片的超温报警,从而有效避免了芯片在温度上下波动的情况下,频繁发生超温报警,影响芯片正常工作。
附图说明
图1所述是本发明的具体实施方式所述芯片过温监测器的结构框图。
图2是图1所示结构框图的一种电路结构图。
具体实施方式
接下来结合附图详细介绍本发明所述一种芯片过温监测器的具体实施方式。
图1是本具体实施方式所述芯片过温监测器的结构框图,包括:温度感测单元11、参考信号单元12、比较单元13和输出单元14。该过温监测器设置在芯片内部。
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