[发明专利]芯片过温监测器

权利要求书

1.一种芯片过温监测器，其特征在于，包括：

温度感测单元，所述温度感测单元的输出信号随温度变化呈一致性变化；

参考信号单元，所述参考信号单元的输出信号随温度变化呈一致性变化，且该变化方向与所述温度感测单元的变化方向相反，或者所述参考信号单元的输出信号不随温度变化；

比较单元，所述比较单元具有与所述温度感测单元连接的第一输入端，和与参考信号单元连接的第二输入端，以及一输出端，所述比较单元能够根据对第一输入端与第二输入端的值的比较结果输出一信号；

输出单元，所述输出单元的输入端与比较单元的输出端连接，所述输出单元的第一输出端输出一监测信号至外部，所述输出单元的第二输出端与参考信号单元的反馈信号输入端连接，输出一反馈信号至参考信号单元，控制参考信号单元根据比较单元的反馈信号的值来确定输出第一或第二参考信号至比较单元的第二输入端，从而实现超温保护点和降温启动点之间的迟滞效应。

2.根据权利要求1所述的芯片过温监测器，其特征在于，所述温度感测单元包括一第一电流源和一三极管，所述第一电流源的输出端与三极管的发射极连接，所述三极管的基极和集电极共连接并接地，所述温度感测单元的输出端为第一电流源和三极管发射极的共连接端。

3.根据权利要求1所述的芯片过温监测器，其特征在于，所述参考信号单元包括一第二电流源、一第一电阻、一第二电阻以及一控制晶体管，所述第二电流源的输出端连接至第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接至第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端接地，所述控制晶体管的源极和漏极分别连接至第二电阻的第一端和第二端；所述参考信号单元的输出端为第二电流源和第一电阻第一端的共连接端，所述参考信号单元的反馈信号输入端为所述控制晶体管的栅极。

4.根据权利要求1所述的芯片过温监测器，其特征在于，所述比较单元为一比较器，所述比较单元的第一、第二输入端和输出端分别为所述比较器的负、正输入端和输出端。

5.根据权利要求1所述的芯片过温监测器，其特征在于，所述输出单元包括第一反向器和第二反向器，所述第一反向器的输出端连接至第二反向器的输入端；所述输出单元的输入端为第一反向器的输入端，所述输出单元的第一输出端为所述第二反向器的输出端，所述输出单元的第二输出端为所述第一反向器的输出端与第二反向器的输入端的共连接端。