[发明专利]一种高压电瓷再生工艺方法无效

专利信息
申请号: 201210114248.1 申请日: 2012-04-18
公开(公告)号: CN102627477A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 殷杨合 申请(专利权)人: 殷杨合
主分类号: C04B41/86 分类号: C04B41/86
代理公司: 株洲市奇美专利商标事务所 43105 代理人: 张继纲
地址: 412100 湖南省株洲市株*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压电 再生 工艺 方法
【权利要求书】:

1.一种高压电瓷再生工艺,它的主要工艺流程含配色、制釉、上釉,烧成,其特征在于所述的:

A)配色工艺是配出相应颜色的无机釉料,该无机釉料的外观颜色力求与可再生的产品色彩完全一致,并与其膨胀系数相兼容;

B)制釉工艺中,釉的粘度值控制在180~220帕斯卡·秒,表面张力为0.25~0.35N/m,润湿角大于90°;

C)上釉工艺中,对可再生电瓷产品进行精细的打磨抛光,然后再喷上一层再生釉,釉层厚度控制在0.15~0.25mm之间;

D)烧成工艺中,产品烧成温度控制在700℃~1000℃,且在釉中加入70%~85%已经烧制好的低温石英熔块,8%~20%的高岭土,2%~8%的与产品颜色相近的色剂颜料和乳浊剂;

升温曲线:200℃之前,升温速度不大于30℃/h;500℃~600℃,升温速度不大于20℃/h;700℃~1000℃釉玻化,升温速度40℃/h,保温1.5~2.5小时;

降温曲线:停火~600℃为快速降温,降温速度大于60℃/h,600℃~室温加15℃为缓慢降温,降温速度小于30℃/h。

2.根据权利要求1所述的一种高压电瓷再生工艺,其特征在于所述的低温石英熔块主要化学成分和重量百分比为:SiO2:43%~48%、Al2O3:5%~7%、MgO:2.0%~2.4%、K2O:6.5%~8.5%、Na2O:4.5%~6.3%、CaO:9%~12%。

3.根据权利要求1所述的一种高压电瓷再生工艺,其特征在于所述的高岭土主要化学成分和重量百分比为:SiO2:53%~59%、Al2O3:23%~28%、Fe2O3:≤2.2%、K2O+Na2O:≥2.5%、灼减:≤15%。

4.根据权利要求1所述的一种高压电瓷再生工艺,其特征在于所述的乳浊剂为硅酸锆。

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