[发明专利]校正布局图形的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及校正布局图形的方法。

背景技术

在半导体制造过程中，光刻工艺是集成电路生产中最重要的工艺步骤之一。随着半导体制造技术的发展，特征尺寸越来越小，对光刻工艺中分辨率的要求就越来越高。光刻分辨率是指通过光刻机在硅片表面能曝光的最小特征尺寸(critical dimension，CD)，是光刻技术中重要的性能指标之一。

现有半导体工艺为了实现微小的CD，需要通过增强光刻分辨率将掩模版上更加精细的图像聚焦在光刻胶上，以制造接近掩模版工艺中光刻分辨率极限的半导体器件。分辨率增强技术包括利用短波长光源、相移掩模方法、或者利用轴外照射(OAI，Off-Axis Illumination)的方法等，而OAI方法目前运用较多。在利用OAI的情况下，分辨率大约比利用传统照射时的分辨率高约1.5倍，并且能够增强聚焦深度(DOF，depth of focus)。通过OAI技术，虽然可以增强光刻分辨率，但是会产生光学邻近效应(OPE，Optical Proximity Effect)。

为了消除光学邻近效应的影响，会对掩模版上的图形经过光学邻近校正(OPC，Optical Proximity Correction)处理，使实际的掩模版上的图形与所希望得到的光刻图形并不相同。图1为现有技术中利用光学邻近校正对布局图形进行校正的流程图，参考图1，现有技术中利用光学邻近校正对布局图形的方法包括：步骤S11，提供原始布局图形，该原始布局图形为实际期望在硅片上形成的图形；步骤S12，对原始布局图形进行光学邻近校正，获得修正图形；步骤S13，模拟修正图形在硅片上形成的实际图形；步骤S14，计算实际图形与原始布局图形的边缘位置误差(edge placement error，简称EPE)，并且需要检验修正图形是否超出掩模版尺寸限制(mask rule check，简称MRC)，也就是说每做一次光学邻近校正，均需要进行掩模版尺寸限制的检验；其中掩模版尺寸限制指：受掩模版制造工艺限制，掩模版上相邻图形之间的距离以及图形本身的尺寸需要大于设定值。如果相邻图形之间的距离、图形本身的尺寸大于设定值，则满足掩模版尺寸限制，如果相邻图形之间的距离以及图形本身的尺寸小于设定值，则超出掩模版尺寸限制；步骤S15，判断边缘位置误差以及掩模版尺寸限制是否均在预定范围内；如果判断结果为是，则执行步骤S16，输出修正图形；如果判断结果为否，则需要以修正图形为基础循环以上步骤，直至形成在掩模版上的修正图形的边缘位置误差以及掩模版尺寸限制均在预定范围内。

利用现有技术的光学邻近校正方法对孔图形进行光学邻近校正时，由于掩模版尺寸限制，最终的修正图形即形成在掩模版上的修正图形的边缘位置误差超出预定范围。

现有技术中，有许多关于对布局图形校正的方法，例如2002年1月3日公开的公开号为“US2002/0001758A1”的美国专利申请文件，然而均没有解决以上技术问题。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术中的光学邻近校正方法，在对孔图形进行光学邻近校正时，由于掩模版尺寸限制，最终的修正图形的边缘位置误差超出预定范围。

为解决上述问题，本发明具体实施例提供一种校正布局图形的方法，包括：

提供包括多个第一孔图形的第一布局图形；

在所述第一孔图形中形成辅助图形，获得第二布局图形，所述辅助图形的尺寸小于光刻过程中的曝光分辨率；

对所述第二布局图形进行光学邻近校正，获得第一修正图形，所述第一修正图形包括第一孔修正图形和辅助修正图形；

模拟所述第一修正图形获得实际图形，所述实际图形与所述第一布局图形之间的边缘位置误差在预定范围之内。

可选的，所述第一孔图形为正方孔图形或长方孔图形。

可选的，所述辅助图形为第二孔图形。

可选的，所述第二孔图形为正方孔图形或长方孔图形。

可选的，所述第二孔图形形成于所述第一孔图形的中心位置。

可选的，对第二布局图形进行光学邻近校正包括：对所述第一孔图形进行光学邻近校正，所述辅助图形保持原状。

可选的，在对第二布局图形进行光学邻近校正形成第一修正图形之前不进行掩模版尺寸限制检验。

可选的，还包括：判断所述第一修正图形是否超出掩模版尺寸限制；

若所述第一修正图形没有超出掩模版尺寸限制，所述第一修正图形作为形成在掩模版上的修正图形；