[发明专利]校正布局图形的方法

权利要求书

1.一种校正布局图形的方法，其特征在于，包括：

提供包括多个第一孔图形的第一布局图形；

在所述第一孔图形中形成辅助图形，获得第二布局图形，所述辅助图形的尺寸小于光刻过程中的曝光分辨率；

对所述第二布局图形进行光学邻近校正，获得第一修正图形，所述第一修正图形包括第一孔修正图形和辅助修正图形；

模拟所述第一修正图形获得实际图形，所述实际图形与所述第一布局图形之间的边缘位置误差在预定范围之内。

2.如权利要求1所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述第一孔图形为正方孔图形或长方孔图形。

3.如权利要求2所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述辅助图形为第二孔图形。

4.如权利要求3所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述第二孔图形为正方孔图形或长方孔图形。

5.如权利要求3所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述第二孔图形形成于所述第一孔图形的中心位置。

6.如权利要求4所述的校正布局图形的方法，其特征在于，对第二布局图形进行光学邻近校正包括：对所述第一孔图形进行光学邻近校正，所述辅助图形保持原状。

7.如权利要求1所述的校正布局图形的方法，其特征在于，在对第二布局图形进行光学邻近校正形成第一修正图形之前不进行掩模版尺寸限制检验。

8.如权利要求6所述的校正布局图形的方法，其特征在于，还包括：判断所述第一修正图形是否超出掩模版尺寸限制；

若所述第一修正图形没有超出掩模版尺寸限制，所述第一修正图形作为形成在掩模版上的修正图形；

若所述第一修正图形超出掩模版尺寸限制，对所述第一修正图形进行修正。

9.如权利要求8所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述对第一修正图形进行修正包括：

从所述第一孔修正图形中选择超出掩模版尺寸限制的第一边；

去除相邻两第一边形成的第一夹角，去除辅助修正图形的相邻两边形成的第二夹角，获得第二修正图形，所述第二修正图形满足掩模版尺寸限制。

10.如权利要求9所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述辅助修正图形的各边与所述第一孔修正图形的各边对应平行。

11.如权利要求10所述的校正布局图形的方法，其特征在于，选择第一边后，还包括：从所述第一修正图形的辅助修正图形中选择与所述第一修正图形第一边平行、且距离最近的第二边；所述去除的第二夹角为相邻两第二边形成的第二夹角。

12.如权利要求9所述的校正布局图形的方法，其特征在于，还包括：

模拟所述第二修正图形获得实际图形；

判断模拟第二修正图形获得的实际图形与所述第一布局图形之间的边缘位置误差是否在预定范围之内；

若在预定范围内，所述第二修正图形作为形成在掩模版上的修正图形；

若不在预定范围内，对所述第二修正图形进行修正。

13.如权利要求12所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述对第二修正图形进行修正包括：

调整所述第一夹角和第二夹角的尺寸，重复所述去除第一夹角、第二夹角的步骤，获得第三修正图形；

模拟所述第三修正图形获得实际图形；

模拟所述第三修正图形获得的实际图形与所述第一布局图形之间的边缘位置误差在预定范围之内，所述第三修正图形作为形成在掩模版上的修正图形。

14.如权利要求4所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述进行光学邻近校正包括：移动所述第一孔图形的各边。

15.如权利要求14所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述进行光学邻近校正还包括：在所述第一孔图形的周边增加次分辨率辅助图形。

16.如权利要求3所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述第二孔图形为圆孔图形或椭圆孔图形或多边形孔图形。

17.如权利要求8所述的校正布局图形的方法，其特征在于，所述掩模版尺寸限制指：受掩模版制造工艺限制，掩模版上相邻图形之间的距离以及图形本身的尺寸需要大于设定值。