[发明专利]春石斛兰种苗的组织培养快速繁殖方法有效

专利信息
申请号: 201210113266.8 申请日: 2012-04-17
公开(公告)号: CN103371100A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 殷丽青;汤桂钧;周音;李秀芬;黄卫昌;胡永红;将建平;刘炤;胡海锋;范晓芬 申请(专利权)人: 上海市农业科学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 上海开祺知识产权代理有限公司 31114 代理人: 费开逵
地址: 201106 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 石斛 种苗 组织培养 快速 繁殖 方法
【权利要求书】:

1.一种春石斛兰种苗的组织培养快速繁殖方法,以春石斛兰八分熟的蒴果种子为外植体,采用培养基诱导生成原球茎从而进行离体快速繁殖,具体包括以下步骤:

1)外植体的准备和消毒:将春石斛兰人工授粉后进行套袋,90~110天后待其八分成熟,摘取其蒴果,在超净工作台上,用75%(体积比)酒精消毒30~60s后,再用15~20%(体积比)次氯酸钠溶液浸泡、无菌水冲洗;

2)原球茎的诱导培养:用无菌吸水纸吸干消毒后的春石斛兰蒴果表面水分,用解剖刀切开蒴果,挑取石斛兰种子,接种于诱导培养基上进行暗培养,20~30d后转移至光照下培养,继续培养40-50d后逐渐萌发成圆锥状的原球茎;

3)原球茎的增殖与分化:将原球茎转接于增殖与分化培养基中,萌发、分化成大量不定芽;

4)壮苗与生根培养:将不定芽切成单芽,接种于壮苗与生根培养基中,培养得生根试管苗;

5)试管苗的移栽:将生根试管苗带瓶盖置于常温条件下炼苗5~7d,打开瓶盖再炼苗2~3d,将生根试管苗从培养瓶中轻轻取出,洗去基部残留的培养基,移栽于以苔藓为基质的穴盘,浇水后保持温度25±2℃,空气湿度70~80%。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的春石斛兰八分熟的蒴果种子,其个体大小接近成熟的春石斛蒴果,颜色为青绿色,种壳不硬、不裂开。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的诱导培养基配方为:MS+BA 0.2~2.0mg/L+NAA 0.05~0.5mg/L+水解酪蛋白0.5~1.5g/L+香蕉泥20~80g/L+蔗糖30g/L+琼脂粉5.5~6.5g/L,pH=5.4~5.6。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的暗培养温度为24~26℃,黑暗,无光照。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,光照培养温度为24~26℃,光照强度为1500~2500勒克斯。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的增殖与分化培养基配方为:MS+6-BA 0.5~1.0mg/L+KT 0.2~0.5mg/L+NAA 0.1~0.2mg/L+水解酪蛋白0.5~1.5g/L+香蕉泥20~80g/L+蔗糖30~40g/L+琼脂粉5.5~6.5g/L,pH=5.4~5.6。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的壮苗与生根培养基培养为:1/2MS+6-BA 0.1~0.2mg/L+IBA 0.5~1.5mg/L+香蕉泥20~30g/L+蔗糖20~30g/L,pH=5.4~5.6。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤3)、步骤4)是在光照下培养。

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