[发明专利]功率半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括：

第一导电型的漏区；

第一导电型的漂移区，所述漂移区形成在所述漏区上；

第二导电型的第一基体区，所述第一基体区形成在所述漂移区的上表面下方；

第二导电型的第二基体区，所述第二基体区形成在所述漂移区的上表面下方且在所述第一基体区内，且形成为具有比所述第一基体区的深度浅的深度；

第二导电型的第三基体区，所述第三基体区通过从所述第一基体区的下端向下突出形成；

第一导电型的源区，所述源区形成在所述漂移区的上表面下方且在所述第一基体区内，且形成为具有比所述第二基体区的深度浅的深度；

栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在所述第一基体区的沟道区域上和在所述第一基体区之间的漂移区上；

栅极，所述栅极形成在所述栅绝缘层上；

源极，所述源极与所述源区电连接；以及

漏极，所述漏极与所述漏区电连接。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述功率半导体器件为金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

3.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一导电型为n型且所述第二导电型为p型。

4.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一导电型为p型且所述第二导电型为n型。

5.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一基体区包括至少一个条带型区域，且还包括与所述第一基体区的两个端面连接的框架区域。

6.如权利要求5所述的功率半导体器件，其中，所述栅绝缘层以与所述第一基体区相同的方向形成条带型。

7.如权利要求5所述的功率半导体器件，其中，所述第一基体区的边缘区域具有大于100μm的曲率半径。

8.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一基体区包括多边形的晶胞。

9.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述漏区具有高于所述漂移区的掺杂浓度的第一导电型的掺杂浓度。

10.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述源区具有高于所述漂移区的掺杂浓度的第一导电型的掺杂浓度。

11.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，与所述第一基体区之间的栅极叠置的漂移区的宽度具有使从所述第一基体区延伸形成的耗尽区形成平面结结构的尺寸。

12.如权利要求1所述的功率半导体器件，还包括形成在所述第一基体区之间的漂移区的上表面下方的附加漂移区，其中，所述附加漂移区具有高于所述漂移区的掺杂浓度的第一导电型的掺杂浓度。

13.如权利要求12所述的功率半导体器件，其中，所述附加漂移区具有比所述第一基体区的深度浅的深度。

14.如权利要求1所述的功率半导体器件，还包括形成在所述漂移区的上表面下方、围绕所述第一基体区和所述第三基体区的第一导电型的附加漂移区，其中，所述附加漂移区具有高于所述漂移区的掺杂浓度的第一导电型的掺杂浓度。

15.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第三基体区设置在彼此相邻的栅极之间。

16.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第三基体区具有比所述第一基体区的深度深的深度。

17.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述源区形成在其与所述栅极的一部分和所述源极的一部分叠置的位置上。

18.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一基体区形成在其与所述栅极的一部分和所述源极叠置的位置上。

19.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一基体区具有低于所述第二基体区的掺杂浓度的第二导电型的掺杂浓度，且所述第三基体区具有低于所述第二基体区的掺杂浓度的第二导电型的掺杂浓度。

20.如权利要求19所述的功率半导体器件，其中，所述第一基体区和所述第三基体区具有相同的第二导电型的掺杂浓度。

21.如权利要求19所述的功率半导体器件，其中，所述第一基体区具有高于所述第三基体区的掺杂浓度的第二导电型的掺杂浓度。