[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

已知堆迭式封装层迭结构(package on package，PoP)包括一下封装结构及一上封装结构。已知下封装结构利用外露的焊球与上封装结构电性连接，故须去除部分封胶材料至使焊球外露，以利与上封装结构接合。目前去除部分封胶材料有两种方式，第一种是利用切割方式移除部分封胶材料，另一种方式是利用激光烧融的方式移除部分封胶材料。此二种方式除了在机台的精度要求上是非常高以外，在移除部分封胶材料后，除了会造成残胶外，也会造成焊球表面的污染，为了要去除以上两种外来污染，必需要增加一道清除工艺，进而使成本上升。

发明内容

本发明提供一种半导体封装结构的制造方法。首先，提供一基板，该基板具有一第一表面及一第二表面。接着，形成数个导电元件于该基板的该第一表面。再设置一芯片至该基板的该第一表面，且该芯片电性连接至该基板。接着，覆盖一模具于这些导电元件上，该模具的一内表面具有一薄膜，该薄膜接触该芯片的一表面，且该薄膜容置这些导电元件的部分。接着，形成一封胶材料以包覆该基板的第一表面、该芯片及部分这些导电元件，且暴露该芯片的该表面。

本发明另提供一种半导体封装结构，包括：一基板、一芯片、数个导电元件及一封胶材料。该基板具有一第一表面及一第二表面。该芯片设置于该基板的该第一表面，且电性连接至该基板。这些导电元件设置于该基板的该第一表面。该封胶材料利用一模具进行灌模工艺而成，该模具的一内表面具有一薄膜，该薄膜接触该芯片的一表面，且该薄膜容置这些导电元件的部分，该封胶材料包覆该基板的该第一表面、该芯片及部分这些导电元件，且暴露该芯片的该表面。

本发明又提供一种半导体封装结构，包括：一基板、一芯片、数个导电元件、一第一封胶材料、一上基板、一上芯片及一第二封胶材料。该基板具有一第一表面及一第二表面。该芯片设置至该基板的该第一表面，且电性连接至该基板。这些导电元件设置于该基板的该第一表面。该第一封胶材料利用一模具进行灌模工艺而成，该模具的一内表面具有一薄膜，该薄膜接触该芯片的一表面，且该薄膜容置这些导电元件的部分，该第一封胶材料包覆该基板的该第一表面、该芯片及部分这些导电元件，且暴露该芯片的该表面。该上基板具有一第一表面及一第二表面，且该第二表面电性连接这些导电元件。该上芯片设置至该上基板的该第一表面，且电性连接至该上基板。该第二封胶材料包覆该上基板的该第一表面及该上芯片。

由于利用该薄膜接触该芯片的该表面，且该薄膜容置这些导电元件的部分，以使部分这些导电元件及该芯片的该表面暴露，故不须已知移除部分封胶材料的步骤，及不须移除残胶，也不会造成焊球表面的污染。因此可简化工艺、缩短工艺时间及降低制造成本，以利于量产。

附图说明

图1显示本发明半导体封装结构的一实施例的示意图；

图2至图8显示本发明半导体封装结构的制造方法的一实施例的示意图；

图9显示本发明半导体封装结构的另一实施例的示意图；

图10显示本发明半导体封装结构的上封装结构的另一实施例的示意图；

图11显示本发明半导体封装结构的再一实施例的示意图；

图12显示本发明半导体封装结构的又一实施例的示意图；及

图13为图12的导电元件及凹槽的部分局部放大示意图。

具体实施方式

参考图1，显示本发明半导体封装结构的一实施例的示意图。本发明半导体封装结构10包括：一基板11、数个导电元件12、一芯片13、一第一封胶材料14、一上基板15、一上芯片16及一第二封胶材料17。在本实施例中，本发明半导体封装结构10为堆迭式封装层迭结构(package on package，PoP)。

该基板11具有一第一表面111及一第二表面112，该第二表面112相对于该第一表面111。这些导电元件12设置于该基板11的该第一表面111。该芯片13设置至该基板11的该第一表面111，且电性连接至该基板11。在本实施例中，利用数个凸块131，设置于该基板11及该芯片13间，电性连接该基板11及该芯片13；且利用一底胶132，设置于该基板11及该芯片13间，包覆这些凸块131。