[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制造方法，包括以下步骤：

(a)提供一基板，该基板具有一第一表面及一第二表面；

(b)形成数个导电元件于该基板的该第一表面；

(c)设置一芯片至该基板的该第一表面，且该芯片电性连接至该基板；

(d)覆盖一模具于该基板上，该模具的一内表面具有一薄膜，该薄膜接触该芯片的一表面，且该薄膜容置所述导电元件的部分；及

(e)形成一封胶材料以包覆该基板的该第一表面、该芯片及部分所述导电元件，且暴露该芯片的该表面。

2.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)后另包括于所述导电元件的周围的封胶材料形成凹槽的步骤。

3.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)之后更包括：

(f)提供一上封装结构，该上封装结构包括一上基板、一上芯片及数个接合焊垫，该上基板具有一第一表面及一第二表面，该上芯片电性连接该上基板的该第一表面，所述接合焊垫设置于该上基板的该第二表面；

(g)堆迭所述接合焊垫于所述导电元件上；及

(h)进行回焊，使得所述接合焊垫及所述导电元件电性连接。

4.一种半导体封装结构，包括：

一基板，具有一第一表面及一第二表面；

一芯片，设置于该基板的该第一表面，且电性连接至该基板；

数个导电元件，设置于该基板的该第一表面；及

一封胶材料，利用一模具进行灌模工艺而成，该模具的一内表面具有一薄膜，该薄膜接触该芯片的一表面，且该薄膜容置所述导电元件的部分，该封胶材料包覆该基板的该第一表面、该芯片及部分所述导电元件，且暴露该芯片的该表面。

5.如权利要求4的半导体封装结构，另包括数个凹槽，形成于所述导电元件的周围的封胶材料。

6.如权利要求5的半导体封装结构，其中所述凹槽的外围宽度大于所述导电元件的直径约20％至50％；且所述凹槽的深度约为所述导电元件的直径的5％至50％。

7.如权利要求4的半导体封装结构，该封胶材料包覆所述导电元件整体高度的30％-80％。

8.一种堆迭式封装结构，包括：

一基板，具有一第一表面及一第二表面；

一芯片，设置至该基板的该第一表面，且电性连接至该基板；

数个导电元件，设置于该基板的该第一表面；

一第一封胶材料，利用一模具进行灌模工艺而成，该模具的一内表面具有一薄膜，该薄膜接触该芯片的一表面，且该薄膜容置所述导电元件的部分，该第一封胶材料包覆该基板的该第一表面、该芯片及部分所述导电元件，且暴露该芯片的该表面；

一上基板，具有一第一表面及一第二表面，且该第二表面电性连接所述导电元件；

一上芯片，设置至该上基板的该第一表面，且电性连接至该上基板；及

一第二封胶材料，包覆该上基板的该第一表面及该上芯片。

9.如权利要求8的堆迭式封装结构，另包括数个凹槽，形成于所述导电元件的周围的封胶材料。