[发明专利]发光器件

说明书

本申请是申请日为2009年5月8日、申请号为“200980100994.1”、发明名称为“发光器件”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

实施方案涉及发光器件。

背景技术

最近，已经对采用发光二极管(LED)作为发光器件的装置进行了多种研究。

LED通过利用化合物半导体的特性将电流转化成光。LED具有第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的堆叠结构并且在向其加电时通过有源层发光。第一导电型半导体层可用作N型半导体层，第二导电型半导体层可用作P型半导体层，反之亦然。

同时，在这种发光器件中，从有源层发出的光通过发光器件的侧面以及顶面发出，从而可能降低发光效率。

发明内容

技术问题

实施方案提供具有新结构的发光器件及其制造方法。

实施方案提供能够改善其顶面方向上的发光效率的发光器件及其制造方法。

实施方案提供能够反射在顶面方向上向侧面发射的光的发光器件及其制造方法。

技术解决方案

根据实施方案，一种发光器件包括：第二电极层；在所述第二电极层上的包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层的发光半导体层；在所述第二电极层上的与所述发光半导体层间隔开的反射构件，和在所述第一导电型半导体层上的第一电极层。

根据实施方案，一种发光器件包括：第二电极层；在所述第二电极层上的包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层的发光半导体层；在所述发光半导体层外侧的反射构件。

本发明还涉及以下项目：

1.一种发光器件，包括：

第二电极层；

在所述第二电极层上的包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层的发光半导体层；

在所述第二电极层上的与所述发光半导体层间隔开的反射构件；和

在所述第一导电型半导体层上的第一电极层。

2.根据项目1所述的发光器件，还包括在所述反射构件的表面上的反射层。

3.根据项目2所述的发光器件，其中所述反射层包含银(Ag)或铝(Al)。

4.根据项目1所述的发光器件，其中所述反射层包括所述第二导电型半导体层。

5.根据项目1所述的发光器件，其中所述反射层包括所述第二导电型半导体层和所述有源层。

6.根据项目1所述的发光器件，其中所述反射层包括所述第二导电型半导体层、所述有源层和所述第一导电型半导体层。

7.根据项目1所述的发光器件，其中所述反射构件设置在所述发光半导体层的侧面并且具有多个点的形式。

8.根据项目1所述的发光器件，其中所述反射构件设置在所述发光半导体层的侧面并且具有栅栏的形式。

9.根据项目1所述的发光器件，还包括介于所述第二电极层和第二导电型半导体层之间的欧姆接触层。

10.根据项目1所述的发光器件，其中所述反射构件包括氮化物基半导体层。

11.根据项目1所述的发光器件，其中所述反射构件的侧面是倾斜的表面。

12.一种发光器件，包括：

第二电极层；

在所述第二电极层上的包括第二导电型半导体层、有源层和第一导电型半导体层的发光半导体层；和

在所述发光半导体层外侧的反射构件。

13.根据项目12所述的发光器件，还包括在所述反射构件的表面上的反射层。

14.根据项目12所述的发光器件，其中所述反射构件设置在所述第二电极层上，并且包括与所述发光半导体层间隔开的所述第二导电型半导体层、所述有源层和所述第一导电型半导体层。

15.根据项目12所述的发光器件，其中所述反射构件设置为栅栏和多个点中至少其一的形式。

有益效果

实施方案可提供具有新结构的发光器件及其制造方法。

实施方案可提供能够改善在其顶面方向上的发光效率的发光器件及其制造方法。

实施方案可提供能够反射在顶面方向上向侧面发射的光的发光器件及其制造方法。

附图说明

图1至6是显示根据本发明第一实施方案的发光器件及其制造方法的剖面图；

图7是显示根据本发明第二实施方案的发光器件的剖面图；

图8是显示根据本发明实施方案的发光器件的平面图；和

图9是显示根据本发明实施方案的发光器件的平面图。

具体实施方式