[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201210111384.5 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102646771A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 朴炯兆 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件，包括：
第二电极层；
在所述第二电极层上的发光结构，其中所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层；
与所述发光结构的侧表面间隔开的反射构件；和
在所述发光结构上的第一电极层。
2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第二导电型半导体层上的欧姆接触层。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述欧姆接触层设置在所述第二电极层和所述第二导电型半导体层之间。
4.根据权利要求1所述的发光器件，还包括设置在所述反射构件的表面上的第一反射层。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一反射层包括包含Ag或Al的金属。
6.根据权利要求1到5任一项所述的发光器件，其中所述反射构件包括点型反射构件。
7.根据权利要求1到5任一项所述的发光器件，其中所述反射构件包括栅栏型反射构件。
8.根据权利要求1到5任一项所述的发光器件，其中所述反射构件围绕所述发光结构。
9.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述欧姆接触层包括第二反射层和粘合剂层中的至少之一。
10.根据权利要求1到9任一项所述的发光器件，其中所述第二电极层包括导电衬底。
11.根据权利要求1到5任一项所述的发光器件，其中所述反射构件包括所述第一导电型半导体层、所述有源层、和所述第二导电型半导体层中的至少之一。
12.根据权利要求1到5任一项所述的发光器件，其中所述反射构件设置在所述第二电极层上，并且接近所述发光结构。
13.根据权利要求1到5任一项所述的发光器件，其中所述反射构件包括导电半导体层。
14.根据权利要求1到5任一项所述的发光器件，其中所述反射构件的侧面是倾斜的表面。
15.根据权利要求1到5任一项所述的发光器件，其中所述反射构件在所述发光结构的外侧。
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