[发明专利]半导体封装件及其制法无效
申请号: | 201210109676.5 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN103295978A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 张江城;李孟宗;黄荣邦;邱世冠 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 | ||
技术领域
本发明关于半导体封装件及其制法,特别是关于一种提升可靠度的半导体封装件及其制法。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturization)的封装需求,发展出晶圆级封装(Wafer Level Packaging,WLP)的技术。
第6452265号美国专利与第7202107号美国专利提供一种晶圆级封装的制法。请参阅图1A至图1E,其为现有半导体封装件1的制法的剖面示意图。
如图1A所示,形成一热化离型胶层(thermal release tape)11于一承载板10上,该热化离型胶层11具有遇热失去粘性的特性。
如图1B所示,置放多个芯片12于该热化离型胶层11上,这些芯片12具有相对的作用面12a与非作用面12b,各该作用面12a上均具有多个电极垫120,且各该作用面12a结合于该热化离型胶层11上。
如图1C所示,以模压(molding)方式形成一封装胶体13于该芯片12与该热化离型胶层11上。
如图1D所示,加热移除该热化离型胶层11与该承载板10,以外露该芯片12的作用面12a。
如图1E所示,形成一线路结构14于该封装胶体13与该芯片12的作用面12a上,令该线路结构14电性连接该芯片12的电极垫120。
然而,现有半导体封装件1的制法中,该热化离型胶层11具有粘性,又该热化离型胶层11与承载板10热膨胀系数(Coefficient of thermal expansion,CTE)差异过大,所以在封装胶体13形成后,往往使整体结构在温度循环中发生翘曲(warpage),导致产品的可靠度不佳。
此外,使用热化离型胶层11涂布于该承载板10上的工艺,不利于将该热化离型胶层11均匀涂布于大版面尺寸的承载板10上,所以多选择涂布于小版面尺寸的承载板10上以达均匀涂布的需求。然而,若将热化离型胶层11涂布于小版面尺寸的承载板10上,不仅输送设备(图略)不便输送小版面尺寸的承载板10,且难以提高生产效率。
因此,如何克服上述现有技术的种种问题,实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺点,本发明的主要目的在于提供一种半导体封装件及其制法,以避免因热膨胀系数不同而使整体结构在后续工艺的温度循环中发生翘曲。
本发明的半导体封装件包括:封装胶体,其具有相对的第一表面与第二表面,且该第一表面上形成有凸部;芯片,其嵌埋于该封装胶体中,该芯片具有相对的作用面与非作用面,该作用面上具有多个电极垫,且该作用面与电极垫外露于该凸部;线路结构,形成于该封装胶体的第一表面与该芯片的作用面上,令该线路结构电性连接该芯片的电极垫;以及接着层,形成于该封装胶体的第二表面上。
本发明还提供一种半导体封装件的制法,包括:提供一表面具有凹部的承载板,且该承载板的具有该凹部的表面上形成有离型层;置放芯片于该凹部内的离型层上,该芯片具有相对的作用面与非作用面,该作用面上具有多个电极垫,且该作用面结合于该离型层上;形成封装胶体于该芯片与该离型层上;形成接着层于该封装胶体上;移除该离型层与该承载板,以外露该芯片的作用面;以及形成线路结构于该封装胶体与该芯片的作用面上,令该线路结构电性连接该芯片的电极垫。
前述的制法中,形成该承载板的材质可为玻璃或金属,且形成该离型层的材质可为疏水性材质、无机物或高分子聚合物。
前述的制法中,可以电浆辅助化学气相沉积的方式形成该离型层,且可以压合方式形成该接着层。
前述的制法还可包括切单工艺,以分离出多个该半导体封装件。
前述的制法于移除该离型层与该承载板的步骤前,还可包括形成一分隔层于该接着层上,其中,该分隔层位于一支撑板上,以令该分隔层夹置于该支撑板与该接着层之间。例如:在该封装胶体上形成该接着层的步骤前,可先令该分隔层夹置于该支撑板与该接着层之间。其中,该分隔层对该支撑板与该接着层不具粘性。
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