[发明专利]半导体封装件及其制法无效
申请号: | 201210109676.5 | 申请日: | 2012-04-13 |
公开(公告)号: | CN103295978A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 张江城;李孟宗;黄荣邦;邱世冠 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/485;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 | ||
1.一种半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件包括:
封装胶体,具有相对的第一表面与第二表面,且该第一表面上形成有凸部;
芯片,嵌埋于该封装胶体中,该芯片具有相对的作用面与非作用面,该作用面上具有多个电极垫,且该作用面与电极垫外露于该凸部;
线路结构,形成于该封装胶体的第一表面与该芯片的作用面上,令该线路结构电性连接该芯片的电极垫;以及
接着层,形成于该封装胶体的第二表面上。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该线路结构具有设于该封装胶体与该作用面上的至少一介电层、形成于该介电层上的线路层、及形成于该介电层中的导电盲孔,且该导电盲孔电性连接该线路层与该电极垫。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件,其特征在于,该最外层的介电层上形成有绝缘层,该绝缘层具有开孔,以令该线路层的部分表面外露于该开孔,以供结合导电组件。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该线路结构具有设于该封装胶体上的至少一介电层、及形成于该介电层与该作用面上的线路层,且该线路层电性连接该芯片的电极垫。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,形成该接着层的材质为聚酰亚胺、干膜或半干材。
6.一种半导体封装件的制法,其特征在于,该半导体封装件的制法包括:
提供一表面具有凹部的承载板,且该承载板的具有该凹部的表面上形成有离型层;
置放芯片于该凹部内的离型层上,该芯片具有相对的作用面与非作用面,该作用面上具有多个电极垫,且该作用面结合于该离型层上;
形成封装胶体于该芯片与该离型层上;
形成接着层于该封装胶体上;
移除该离型层与该承载板,以外露该芯片的作用面;以及
形成线路结构于该封装胶体与该芯片的作用面上,令该线路结构电性连接该芯片的电极垫。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,形成该承载板的材质为玻璃或金属。
8.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,形成该离型层的材质为疏水性材质、无机物或高分子聚合物。
9.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,是以电浆辅助化学气相沉积的方式形成该离型层。
10.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,是以压合方式形成该接着层。
11.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,形成该接着层的材质为聚酰亚胺、干膜或半干材。
12.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该线路结构具有设于该封装胶体与该作用面上的至少一介电层、形成于该介电层上的线路层、及形成于该介电层中的导电盲孔,且该导电盲孔电性连接该线路层与该电极垫。
13.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该最外层的介电层上形成有绝缘层,该绝缘层具有开孔,以令该线路层的部分表面外露于该开孔,以供结合导电组件。
14.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该线路结构具有设于该封装胶体上的至少一介电层、及形成于该介电层与该作用面上的线路层,且该线路层电性连接该芯片的电极垫。
15.根据权利要求6所述的半导体封装件的制法,其特征在于,在移除该离型层与该承载板的步骤前,还包括下列步骤:
形成一分隔层于该接着层上,其中,该分隔层位于一支撑板上,以令该分隔层夹置于该支撑板与该接着层之间。
16.根据权利要求15所述的半导体封装件的制法,其特征在于,在该封装胶体上形成该接着层的步骤前,先令该分隔层夹置于该支撑板与该接着层之间。
17.根据权利要求15所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该分隔层对该支撑板与该接着层不具粘性。
18.根据权利要求15所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该分隔层经图案化形成缝隙,再埋设该分隔层于该接着层中,使部分该接着层位于该缝隙中,以令该接着层结合该支撑板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210109676.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管装置
- 下一篇:引线环成型系统和利用该系统的方法