[发明专利]一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法有效
| 申请号： | 201210109589.X | 申请日： | 2012-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102655123A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 静态 随机 存储器 读出 冗余 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底；
在所述PMOS晶体管和所述控制管的源极和漏极分别进行选择性刻蚀，去除掉所述源极和漏极的硅，在所述PMOS晶体管的源极和漏极形成第一凹进区，在所述控制管的源极和漏极形成第二凹进区；
在所述第一凹进区和所述第二凹进区内分别淀积锗硅。
2.根据权利要求1所述的提高随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，在提供一包括NMOS晶体管、PMOS晶体管和控制管的半导体衬底的步骤中，包括以下步骤：
在硅衬底进行浅槽隔离工艺，制作浅槽隔离；
在硅衬底上注入阱离子，形成阱底；
在硅衬底上制作多晶硅栅极、侧墙形成。
3.如权利要求1所述的提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，所述控制管为NMOS器件。
4.如权利要求1所述的提高静态随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，在进行源极和漏极选择性刻蚀工艺步骤中，通过逻辑运算，打开控制管区域和PMOS器件区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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