[发明专利]具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法

权利要求书

1.一种具有应力保护结构的半导体结构，其特征在于，包括：

基底，具有第一表面以及第二表面，两个相对设置；

应力产生元件，设置在所述基底中；以及

应力保护结构，设置在所述基底的所述第一表面的一侧，所述应力保护结构包围所述应力产生元件，且所述应力保护结构内部具有密封的空气空间。

2.根据权利要求1所述的具有应力保护结构的半导体结构，其特征在于，还具有内层介电层，设置在所述基底的所述第一表面的一侧。

3.根据权利要求2所述的具有应力保护结构的半导体结构，其特征在于，所述应力保护装置位在所述内层介电层以及所述基底中。

4.根据权利要求1所述的具有应力保护结构的半导体结构，其特征在于，所述应力保护结构由外而内依次包括介电层、金属层以及所述空气空间。

5.根据权利要求4所述的具有应力保护结构的半导体结构，其特征在于，所述应力保护结构还包括阻障层，设置在所述介电层以及所述金属层间。

6.根据权利要求1所述的具有应力保护结构的半导体结构，其特征在于，所述应力保护结构为连续结构，以完全包围所述应力产生元件。

7.根据权利要求1所述的具有应力保护结构的半导体结构，其特征在于，所述应力产生元件为穿硅通孔，所述穿硅通孔贯穿所述第一表面以及所述第二表面。

8.一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法，其特征在于，包括：

提供基底，其具有第一表面以及第二表面，两个相对设置；

在所述基底的所述第一表面一侧上形成连续的沟渠，所述沟渠包围预定区域；

在所述沟渠中依次形成介电层、第一金属层以及第二金属层，以在所述沟渠中形成空气空间；以及

去除沟渠以外的介电层、第一金属层以及第二金属层，以形成所述应力保护结构。

9.根据权利要求8所述的形成具有应力保护结构的半导体结构的方法，其特征在于，在形成所述沟渠之前还包括在所述第一表面的一侧上形成内层介电层，且所述沟渠会形成在所述内层介电层以及所述基底中。

10.根据权利要求8所述的形成具有应力保护结构的半导体结构的方法，其特征在于，还包含在沟渠中形成阻障层，位于所述介电层以及所述第一金属层之间。

11.根据权利要求8所述的形成具有应力保护结构的半导体结构的方法，其特征在于，所述第一金属层以及所述第二金属层包括相同材质。

12.根据权利要求8所述的形成具有应力保护结构的半导体结构的方法，其特征在于，形成所述第一金属层的步骤包括化学气相沉积工艺。

13.根据权利要求8所述的形成具有应力保护结构的半导体结构的方法，其特征在于，形成所述第二金属层的步骤包括物理气相沉积工艺。

14.根据权利要求8所述的形成具有应力保护结构的半导体结构的方法，其特征在于，还包括在所述预定区域中形成应力产生元件。

15.根据权利要求14所述的形成具有应力保护结构的半导体结构的方法，其特征在于，所述应力产生元件为穿硅通孔，所述穿硅通孔贯穿所述第一表面以及所述第二表面。