[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201210107973.6 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378084A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/105 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
1.一种存储装置，其特征在于，包括：
存储阵列，包括多个垂直晶体管，分别电耦合至相应的字线与埋藏位线，其中所述字线沿着第一方向延伸，而所述埋藏位线沿着第二方向延伸；以及
至少一阱电压提取区，沿着所述第二方向穿越所述存储阵列，将所述存储阵列区隔成第一次存储阵列区及第二次存储阵列区。
2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述第一方向实质上垂直所述第二方向。
3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述埋藏位线包括掺杂导电层以及导电层。
4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，位于所述存储阵列区的所述掺杂导电层的掺杂剂与位于所述阱电压提取区的掺杂导电层的掺杂剂具有不同的导电型。
5.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，所述的多个垂直晶体管分别电耦合至相应的所述埋藏位线的所述掺杂导电层。
6.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，所述掺杂导电层的材料包括掺杂多晶硅，所述导电层的材料包括金属。
7.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，各所述垂直晶体管包括：
源极/漏极掺杂区设置在半导体衬底中；以及
栅极结构设置在所述源极/漏极掺杂区之间。
8.根据权利要求7所述的存储装置，其特征在于，所述阱电压提取区包括至少一晶体管结构，所述晶体管结构包括：
第一掺杂区设置在所述半导体衬底中；
第二掺杂区设置在所述半导体衬底中，且所述第二掺杂区与所述第一掺杂区具有不同的导电型；以及
栅极结构设置在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间。
9.根据权利要求8所述的存储装置，其特征在于，还包括；
阱区设置于所述半导体衬底中，所述阱区环绕该些垂直晶体管与所述晶体管结构，所述阱区与所述源极/漏极掺杂区具有不同的导电型。
10.根据权利要求9所述的存储装置，其特征在于，所述阱区与所述第一掺杂区具有相同的导电型，且所述源极/漏极掺杂区与所述第二掺杂区具有相同的导电型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
