[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，包括：

布线对；

第一晶体管组，所述第一晶体管组具有耦合到所述布线对中的一条的源极或漏极；

第二晶体管组，所述第二晶体管组具有耦合到所述布线对中的另一条的源极或漏极；

第一扩散层组，在所述第一扩散层组中形成所述第一晶体管组；以及

第二扩散层组，在所述第二扩散层组中形成所述第二晶体管组，

其中，所述第一扩散层组包括第一公共扩散层组，所述第一公共扩散层组包括在所述第一晶体管组中并且在所述第一公共扩散层组中形成共享源极或漏极的多个晶体管，

其中，所述第二扩散层组包括第二公共扩散层组，所述第二公共扩散层组包括在所述第二晶体管组中并且在所述第二公共扩散层组中形成共享源极或漏极的多个晶体管，并且

其中，所述布线对中的所述一条的第一容性负载与所述布线对中的所述另一条的第二容性负载平衡。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，进一步包括：在第一方向上排列的多个存储器单元阵列，

其中，所述第一和第二扩散层组交替地布置在所述第一方向上。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，

其中，所述多个存储器单元阵列包括第一至第四存储器单元阵列，所述第一至第四存储器单元阵列按照所说明的顺序布置在所述第一方向上，

其中，所述第一扩散层组包括第一和第二扩散层，

其中，所述第二扩散层组包括第三和第四扩散层，

其中，所述第一公共扩散层组包括第一两晶体管共享扩散层，所述第一两晶体管共享扩散层包括在所述第一晶体管组中并且在所述第一两晶体管共享扩散层中形成共享源极或漏极的两个晶体管，

其中，所述第二公共扩散层组包括第二两晶体管共享扩散层，所述第二两晶体管共享扩散层包括在所述第二晶体管组中并且在所述第二两晶体管共享扩散层中形成共享源极或漏极的两个晶体管，并且

其中，所述第一存储器单元阵列、所述第一扩散层、所述第二两晶体管共享扩散层、所述第二扩散层、所述第二存储器单元阵列、所述第三存储器单元阵列、所述第三扩散层、所述第一两晶体管共享扩散层、所述第四扩散层以及所述第四存储器单元阵列按照所说明的顺序布置在所述第一方向上。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件，

其中，所述多个存储器单元阵列包括第一和第二存储器单元阵列，所述第一和第二存储器单元阵列按照所说明的顺序布置在所述第一方向上，

其中，所述第一扩散层组包括第一和第二扩散层，

其中，所述第二扩散层组包括第三和第四扩散层，

其中，所述第一公共扩散层组包括第一两晶体管共享扩散层，所述第一两晶体管共享扩散层包括在所述第一晶体管组中并且在所述第一两晶体管共享扩散层中形成共享源极或漏极的两个晶体管，

其中，所述第二公共扩散层组包括第二两晶体管共享扩散层，所述第二两晶体管共享扩散层包括在所述第二晶体管组中并且在所述第二两晶体管共享扩散层中形成共享源极或漏极的两个晶体管，

其中，所述第一存储器单元阵列、所述第一扩散层、所述第二两晶体管共享扩散层、所述第二扩散层以及所述第二存储器单元阵列按照所说明的顺序布置在所述第一方向上，并且

其中，所述第一存储器单元阵列、所述第三扩散层、所述第一两晶体管共享扩散层、所述第四扩散层以及所述第二存储器单元阵列按照所说明的顺序布置在所述第一方向上。