[发明专利]粘着带和晶片加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及对晶片施加外力时所使用的粘着带以及使用该粘着带的晶片加工方法。

背景技术

硅晶片、蓝宝石晶片等晶片在表面形成有IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)、LED(Light-Emitting Diode：发光二极管)等多个器件并由分割预定线划分开，利用加工装置将所述晶片分割为一个个器件，分割出的器件被广泛利用在移动电话、个人电脑等各种电气设备中。

晶片的分割广泛采用切割(dicing)方法，该切割方法采用被称为切割机(dicer)的切削装置。在切割方法中，通过使切削刀具一边以大约30000rpm的高速旋转一边切入晶片来切削晶片，将晶片分割为一个个器件，所述切削刀具利用金属或树脂将金刚石等磨粒固化并形成为大约30μm的厚度。

另一方面，近年来提出有下述的方法(例如，参考日本特开平10-305420号公报)：通过向晶片照射相对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束来形成激光加工槽，用断裂装置沿该激光加工槽对晶片施加外力来断开晶片，从而将晶片分割为一个个器件。

作为使用激光束的加工方法的另一实施方式，还提出有下述的方法(例如，参考日本专利第3408805号公报)：将相对于晶片具有透过性的波长(例如1064nm)的激光束的聚光点定位在与分割预定线对应的晶片的内部，沿分割预定线照射激光束而在晶片内部形成变质层，然后利用断裂装置对晶片施加外力来断开晶片，从而将晶片分割为一个个器件。

与利用切割机实现的切割方法相比，利用激光加工装置实现的激光加工槽或变质层的形成能够加快加工速度，并且即使是由蓝宝石(Sapphire)或碳化硅(SiC)等硬度高的材料构成的晶片也能够比较容易地进行加工。

而且，由于能够将加工槽或变质层形成为例如10μm以下等的很窄的宽度，因此相对于利用切割方法进行加工的情况，能够增加每一枚晶片的器件的获取量。

在利用激光加工装置进行的晶片加工中，将晶片粘贴于切割带，所述切割带的外周部粘贴于环状框架，从而用环状框架隔着切割带支承晶片。接着，在将晶片隔着切割带抽吸保持于激光加工装置的卡盘工作台的状态下照射激光束。

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本专利第3408805号公报

但是，使用扩张装置(分割装置)断开晶片时，粘贴着晶片的粘着带沿半径方向扩张而对晶片施加外力，因此当粘着带扩张时因粘着带与扩张装置的摩擦而在粘着带产生静电，存在着器件的功能被破坏，或者断开晶片时的碎屑附着于器件而使器件的质量下降的问题。

发明内容

本发明正是鉴于上述各点而完成的，其目的在于提供一种能够抑制静电产生的粘着带以及使用该粘着带的晶片加工方法。

根据技术方案1所述的发明，提供一种粘着带，所述粘着带支承晶片，所述晶片在表面由分割预定线划分开地形成有多个器件，所述粘着带的特征在于，所述粘着带具有：薄片状基材；粘着层，所述粘着层层叠在所述薄片状基材的表面；和防带电层，所述防带电层层叠在所述薄片状基材的背面。

根据技术方案2所述的发明，提供一种晶片加工方法，所述晶片加工方法是将晶片分割为一个个器件的方法，所述晶片在表面由分割预定线划分开地形成有多个器件，所述晶片加工方法的特征在于，所述晶片加工方法具有：一体化工序，在该一体化工序中，将晶片收纳于具有用于收纳晶片的开口部的环状框架的该开口部，将技术方案1所述的粘着带粘贴于晶片和所述环状框架而一体形成为晶片单元，用环状框架支承晶片；分割起点形成工序，在该分割起点形成工序中，在所述一体化工序之前或之后，沿晶片的所述分割预定线形成分割起点；和晶片分割工序，在该晶片分割工序中，在实施了所述一体化工序和所述分割起点形成工序之后，隔着所述粘着带对晶片施加外力，从而沿形成有所述分割起点的所述分割预定线将晶片分割为一个个器件。

由于本发明的粘着带在薄片状基材的背面形成有防带电层，因此，将沿分割预定线形成有分割起点的晶片粘贴于粘着带，然后通过将该粘着带沿半径方向扩张而对晶片施加外力来分割晶片，即使采用上述方式，也能够抑制在粘着带产生的静电，能够消除器件的功能被破坏和分割碎屑附着而使器件的质量降低的问题。

附图说明

图1是激光加工装置的立体图。

图2是说明一体化工序的立体图。

图3是激光束照射单元的方框图。