[发明专利]单片高压侧开关的控制电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种控制电路，特别涉及一种高压侧开关的控制电路。

背景技术

本发明提供一种控制电路，以控制高压侧开关。此电路其形成于单片集成电路(monolithic integrated circuit)。其可应用于电源管理的电路、电池平衡电路、发光二极管(1ight-emitting diode，LED)背光驱动器、以及功率转换器。

发明内容

本发明提供一种单片(monolithic)高压侧开关的控制电路，包括导通/关闭晶体管、偏压晶体管、基纳二极管、电平移位晶体管、以及电流源。导通/关闭晶体管如一开关般操作。偏压晶体管关闭导通/关闭晶体管。基纳二极管限制导通/关闭晶体管的最大电压。电平移位晶体管导通导通/关闭晶体管。电流源耦接电平移位晶体管。电流源限制电平移位晶体管的最大电流。

本发明还提供一种单片(monolithic)高压侧开关的控制电路，包括导通/关闭晶体管、偏压晶体管、基纳二极管、电平移位晶体管、以及电阻。导通/关闭晶体管如一开关般操作。偏压晶体管关闭导通/关闭晶体管。基纳二极管限制导通/关闭晶体管的最大电压。电平移位晶体管导通导通/关闭晶体管。上述电阻耦接电平移位晶体管的源极。电平移位晶体管的栅极被调整，且上述电阻限制该电平移位晶体管的最大电流。

附图说明

图1表示根据本发明一实施例的控制电路；

图2表示根据本发明另一实施例的控制电路；以及

图3表示根据本发明实施例的之一单片集成电路。

【主要元件符号说明】

10～第一电路；        20～第二电路；

30、35～电平移位晶体管；

40、50～导通/关闭晶体管；

45、55～偏压电阻；    46、56～基纳二极管；

70、75～电流源；      78～低阻抗电阻；

79～低阻抗晶体管；    90、95～电阻；

I₃₀～电平移位晶体管的电流；

N～隔离N井区；        N₂₀、N₂₁～节点；

P Si～P型硅基底；        S_N、S_M～控制信号；

V_N、V_M～控制电压；    X_N、X_M、Y_N、Y_M～端点。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。