[发明专利]单片高压侧开关的控制电路

权利要求书

1.一种单片高压侧开关的控制电路，包括：

一导通/关闭晶体管，作为一开关操作；

一偏压晶体管，耦接用以关闭该导通/关闭晶体管；

一基纳二极管，耦接用以限制该导通/关闭晶体管的最大电压；

一电平移位晶体管，导通该导通/关闭晶体管；以及

一电流源，耦接该电平移位晶体管；

其中，该电流源限制该电平移位晶体管的最大电流。

2.如权利要求1所述的单片高压侧开关的控制电路，其中，该电平移位晶体管配置于一第一电路内，该导通/关闭晶体管配置在一第二电路内，该第二电路配置在一隔离井且与该第一电路隔离。

3.如权利要求2所述的单片高压侧开关的控制电路，其中，该第一电路配置在一P型硅基底。

4.如权利要求1所述的单片高压侧开关的控制电路，还包括：

一低阻抗电阻，耦接该电流源；以及

一低阻抗晶体管，与该低阻抗电阻串联；

其中，一旦该低阻抗晶体管导通时，该电流源与该低阻抗电器并联。

5.一种单片高压侧开关的控制电路，包括：

一导通/关闭晶体管，作为一开关操作；

一偏压晶体管，耦接用以关闭该导通/关闭晶体管；

一基纳二极管，耦接用以限制该导通/关闭晶体管的最大电压；

一电平移位晶体管，导通该导通/关闭晶体管；以及

一电阻，耦接该电平移位晶体管的源极；

其中，该电平移位晶体管的栅极可调整，且该电阻限制该电平移位晶体管的最大电流。

6.如权利要求5所述的单片高压侧开关的控制电路，其中，该电平移位晶体管配置于一第一电路内，该导通/关闭晶体管配置在一第二电路内，该第二电路配置在一隔离井且与该第一电路隔离。

7.如权利要求6所述的单片高压侧开关的控制电路，其中，该第一电路配置在一P型硅基底。

8.如权利要求5所述的单片高压侧开关的控制电路，还包括：

一低阻抗电阻，耦接该电阻；以及

一低阻抗晶体管，与该低阻抗电器串联；

其中，一旦该低阻抗晶体管导通时，该电阻与该低阻抗电阻并联。