[发明专利]高压元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压元件，形成于一第一导电型基板中，且另有一低压元件形成于该基板中，该基板具有一上表面，其特征在于，该高压元件包含：

一漂移区，形成于该上表面下方，其具有第二导电型；

一栅极，形成于该上表面上方，且至少部分该漂移区位于该栅极下方；

一源极与一漏极，皆具有第二导电型，分别形成于栅极两侧的上表面下方，且该漏极位于该漂移区中，而该漏极与该栅极间，由该漂移区隔开；以及

一缓和区，具有第二导电型，形成于该上表面下方的该漂移区中，且该缓和区介于该栅极与该漏极之间，且该缓和区与该低压元件中的一轻掺杂漏极区，利用相同制程步骤所形成。

2.如权利要求1所述的高压元件，其中，该低压元件还包含：

一低压栅极，形成于该上表面上方；以及

一低压源极与一低压漏极，具有第二导电型，分别形成于该低压栅极两侧的该上表面下方，且由俯视图视之，该低压源极或/且该低压漏极位于该轻掺杂漏极区中；

其中，该轻掺杂漏极区用以缓和该低压元件操作时的热载子效应。

3.如权利要求1所述的高压元件，其中，还包含：

一第二导电型隔绝区，形成于该上表面下方，且该漂移区、该源极、该漏极、与该缓和区位于该隔绝区中；以及

一第一导电型井区，形成于该上表面下方该隔绝区中，且该隔绝区与该漂移区、该源极、该漏极、以及该缓和区之间，由该井区隔开；

其中，该高压元件为一双扩散漏极金属氧化物半导体元件。

4.如权利要求1所述的高压元件，其中，还包含：

一第一导电型本体区，形成于该上表面下方，且该源极位于该本体区中；以及

一第一导电型本体极，形成于该上表面下方的该本体区中；

其中，该高压元件为一横向双扩散金属氧化物半导体元件。

5.如权利要求2所述的高压元件，其中，该缓和区与该轻掺杂漏极区利用同一离子植入制程步骤完成，其制程参数根据该第二导电型为N型或P型而不同：

第二导电型为N型时：植入离子为含磷离子，加速电压为30～120千伏特，植入剂量为1*10¹³至6*10¹³个离子/cm²；以及

第二导电型为P型时：植入离子为含硼离子，加速电压为10～100千伏特，植入剂量为1*10¹³至6*10¹³个离子/cm²或植入离子为含二氟化硼离子，加速电压为30～140千伏特，植入剂量为1*10¹³至6*10¹³个离子/cm²。

6.一种高压元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一第一导电型基板，其具有一上表面，且另有一低压元件形成于该基板中；

形成一漂移区于该上表面下方，其具有第二导电型；

形成一栅极于该上表面上方，且至少部分该漂移区位于该栅极下方；

分别形成一源极与一漏极于栅极两侧的上表面下方，皆具有第二导电型，且该漏极位于该漂移区中，而该漏极与该栅极间，由该漂移区隔开；以及

形成一缓和区于该上表面下方的该漂移区中，具有第二导电型，且该缓和区介于该栅极与该漏极之间，且该缓和区与该低压元件中的一轻掺杂漏极区，利用相同制程步骤所形成。

7.如权利要求6所述的高压元件制造方法，其中，该低压元件还包含：

一低压栅极，形成于该上表面上方；以及

一低压源极与一低压漏极，具有第二导电型，分别形成于该低压栅极两侧的该上表面下方，且由俯视图视之，该低压源极或/且该低压漏极位于该轻掺杂漏极区中；

其中，该轻掺杂漏极区用以缓和该低压元件操作时的热载子效应。

8.如权利要求6所述的高压元件制造方法，其中，还包含：

形成一第二导电型隔绝区于该上表面下方，且该漂移区、该源极、该漏极、与该缓和区位于该隔绝区中；以及

形成一第一导电型井区于该上表面下方该隔绝区中，且该隔绝区与该漂移区、该源极、该漏极、以及该缓和区之间，由该井区隔开；

其中，该高压元件为一双扩散漏极金属氧化物半导体元件。