[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：

(a)提供一半导体晶圆及一第一载体，该半导体晶圆包括数个条切割道及数个晶粒，所述切割道定义出所述晶粒；

(b)利用一黏胶将该半导体晶圆黏附至该第一载体，其中该黏胶包括数个条黏胶线段以定义出数个容置空间，所述黏胶线段对应所述切割道，且所述容置空间对应所述晶粒；

(c)附着数个上半导体元件至该半导体晶圆上，其中所述上半导体元件电性连接至所述晶粒；

(d)附着一第二载体于所述上半导体元件；

(e)沿着所述切割道切割该半导体晶圆及该第一载体，以分别形成数个晶粒及数个第一载体单体；及

(f)移除所述第一载体单体及该第二载体。

2.如权利要求1的制造方法，其中该步骤(a)中，该半导体晶圆更包括一半导体基板、一布线层、数个导通柱及数个导电元件，该半导体基板具有一第一表面及一第二表面，该布线层位于该半导体基板的第一表面，所述导通柱位于该半导体基板内，且电性连接至该布线层，所述导电元件邻接于该布线层。

3.如权利要求2的制造方法，其中该步骤(b)中，所述导电元件位于所述容置空间中。

4.如权利要求2的制造方法，其中该步骤(b)中，所述黏胶线段的高度至少为所述导电元件的高度，且所述黏胶线段的宽度为所述切割道的宽度±5μm。

5.如权利要求2的制造方法，其中该步骤(b)之后更包括：

(b1)从该半导体基板的第二表面薄化该半导体基板，以显露出所述导通柱；

(b2)形成一钝化层位于该半导体基板的第二表面，以覆盖所述导通柱；

(b3)移除部分该钝化层，使得所述导通柱凸出于该钝化层；及

(b4)形成数个保护盖以覆盖所述导通柱的凸出部分；

其中，该步骤(c)中，所述上半导体元件电性连接至所述导通柱。

6.如权利要求1的制造方法，其中该步骤(a)的该第一载体为透明材质，且该步骤(d)的该第二载体为一胶带。

7.如权利要求1的制造方法，其中该步骤(b)形成一黏胶于该半导体晶圆上或该第一载体上，且利用该黏胶将该半导体晶圆黏附至该第一载体。

8.如权利要求1的制造方法，其中该步骤(b)之后更包括一固化该黏胶的步骤。

9.如权利要求1的制造方法，其中该步骤(c)之后更包括：

(c1)沿着所述切割道切割该半导体晶圆，以形成数个沟槽，其中该半导体晶圆未被切断；及

(c2)形成一第一封胶材料于该半导体晶圆上，其中该第一封胶材料位于所述上半导体元件间的间隙及所述沟槽内。

10.如权利要求9的制造方法，其中所述沟槽的宽度大于所述切割道的宽度，且该步骤(e)中，所述切割道经过所述沟槽而在每一晶粒的侧边上形成侧边缺口。

11.如权利要求1的制造方法，其中该步骤(c)之后更包括一形成一第一封胶材料于该半导体晶圆上的步骤，其中该第一封胶材料位于所述上半导体元件间的间隙。

12.如权利要求11的制造方法，更包括一切割该第一封胶材料及该半导体晶圆的步骤。

13.如权利要求1的制造方法，其中该步骤(e)中，该黏胶完全被移除。

14.如权利要求1的制造方法，其中该步骤(e)中，部分该黏胶残留在所述晶粒及所述第一载体单体之间，且该步骤(f)将所述晶粒及所述第一载体单体浸泡一溶剂，以移除所述第一载体单体。