[发明专利]高可靠SOI LDMOS功率器件有效
| 申请号： | 201210103676.4 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623506A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可靠 soi ldmos 功率 器件 | ||
1.一种高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于，包括：
在SOI LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；
通过所述埋层可充分抽取SOI LDMOS功率器件中SOI LDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOI LDMOS栅附近的电位。
2.如权利要求1所述的高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于：
所述SOI LDMOS是指以绝缘层上硅工艺所制成的横向双扩散晶体管器件。
3.如权利要求2所述的高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于，所述绝缘层上硅工艺包括：
注氧隔离SIMOX或硅片键合反面腐蚀。
4.如权利要求3所述的高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于：
SOI LDMOS的顶层硅是指埋氧层上制作半导体器件的区域。
5.如权利要求4所述的高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于：
所述接触注入区与源端引出短接，使其电位与源区电位相等。
6.如权利要求5所述的高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于：
所述接触注入区单独接入一电位；
对于N型SOI LDMOS，高浓度的P型接触注入区连接并引出P型埋层，并与低于源端的电位连接；
对于P型SOI LDMOS，高浓度的N型接触注入区连接并引出N型埋层并与低于源端的电位连接。
7.如权利要求5或6所述的高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于，所述接触注入区包括：
高浓度接触注入区或金属接触引出区；
所述金属接触引出区中的金属包括铝、铜、钨或其化合物。
8.如权利要求5或6所述的高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于，
所述埋层设在埋氧层表面或埋氧层与器件表面之间的位置；
所述埋层的范围为器件工作区域的一部分、器件工作的全部区域或者整个SOI基底。
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