[发明专利]静电防护器件及其制造工艺

权利要求书

1.一种静电防护器件，其特征在于，包括：

可控硅器件、MOS管器件；所述可控硅器件与所述MOS管串联。

2.根据权利要求1所述的静电防护器件，其特征在于：

所述可控硅器件的结构包括PNPN、PNPNP或NPNPN结构。

3.根据权利要求2所述的静电防护器件，其特征在于：

所述MOS管的个数为至少一个；

当MOS管的个数为多个时，MOS管之间串联。

4.一种权利要求3所述的静电防护器件的制造工艺，其特征在于，包括：

在半导体基底上制成可控硅器件；

在所述可控硅器件附近制成MOS管；

将可控硅器件与MOS管器件串联。

5.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于：

所述可控硅器件的结构包括PNPN、PNPNP或NPNPN结构。

6.根据权利要求5所述的工艺，其特征在于：

在体硅的P型衬底或外延中形成N阱；

在N阱内注入P型或N型杂质形成P+注入区域和N+注入区域；

由所述P+注入区域、N阱、P型衬底或外延、N+注入区域形成PNPN结构的可控硅器件。

7.根据权利要求6所述的工艺，其特征在于：

在P型衬底或外延中注入N型杂质并通过栅的自对准形成N+注入区域；

由所述N+注入区域与栅构成NMOS管器件。

8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于：

所述N阱、P+注入区域、N+注入区域、栅和N+注入区域为同心圆分布。

9.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，所述将可控硅器件与MOS管器件串联是

可控硅的阴极与MOS管器件的阳极合并，可控硅与MOS管器件的电荷泄放路径完整连接。

10.根据权利要求4-9任一项所述的工艺，其特征在于：

所述半导体基底为体硅或SOI或III-V族化合物；所述III-V族化合物为GaN或GaAs。