[发明专利]应力增强的半导体器件有效
| 申请号： | 201210102388.7 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103107197B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所11306 | 代理人： | 陆鑫,房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应力 增强 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
栅极结构，位于衬底上方；
源极/漏极元件，位于所述栅极结构旁边且至少部分位于所述衬底中；以及
隔离结构，位于所述衬底中且邻近所述源极/漏极元件；
其中：
所述隔离结构包括被衬垫层至少部分包围的介电部；以及
所述衬垫层包括晶体材料。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫层与所述源极/漏极元件物理接触。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫层产生所述隔离结构和所述源极/漏极元件之间的应力。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬垫层的所述晶体材料包括不同于所述衬底的材料的半导体材料。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
所述衬底包含硅；以及
所述晶体材料包括III-V族化合物和II-VI族化合物中之一。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离结构的所述介电部包括浅沟槽隔离(STI)。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极元件的材料组分不同于所述衬底的材料组分。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极元件包括硅锗材料和碳化硅材料之一。
9.一种半导体器件，包括：
栅极，设置在半导体衬底上方；
沟槽衬垫，沿着所述衬底中的凹槽涂覆；
介电沟槽元件，设置在所述沟槽衬垫上并填充所述凹槽；以及
源极/漏极应力源器件，设置在所述衬底中且在所述栅极和所述沟槽衬垫之间；
其中：
所述沟槽衬垫包含半导体晶体材料；以及
所述沟槽衬垫直接邻接所述源极/漏极应力源器件。
10.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底中形成凹槽；
沿着所述凹槽形成衬垫层，所述衬垫层包含不同于所述衬底的材料的半导体晶体材料；
此后，用介电材料填充所述凹槽，在所述衬垫层上形成所述介电材料，以使其被所述衬垫层至少部分地包围；以及
在所述衬底中形成源极/漏极元件，所述源极/漏极元件与所述衬垫层物理接触。
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