[发明专利]用于相变随机存取存储器的底部电接触结构的制造方法

权利要求书

1.一种用于相变随机存取存储器的底部电接触结构的制造方法，包括：

a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，在所述层间介质层中形成有第一金属电极；

b)在所述层间介质层上形成一氧化物层，所述氧化物层覆盖所述第一金属电极上端的一部分；

c)在所述半导体衬底上依次形成一导电材料层和一薄层氧化物，以覆盖所述氧化物层与未被所述氧化物层覆盖的第一金属电极和层间介质层；

d)采用侧壁蚀刻工艺蚀刻所述薄层氧化物和导电材料层；

e)沉积所述氧化物层，并研磨所述氧化物层直至露出所述导电材料层为止；

f)执行一光刻过程以定义所述导电材料层的图形；

g)执行一各向异性的蚀刻过程，以使所述导电材料层仅存在于所述第一金属电极上；

h)执行步骤e)，并回蚀刻所述导电材料层；

I)在所述导电材料层和所述氧化物层上依次形成一相变材料层和一第二金属电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行步骤e)之后，步骤e)中形成的所述氧化物层的高度与步骤b)中形成的所述氧化物层的高度平齐。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述回蚀刻之后的所述导电材料层构成所述底部电接触结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述相变材料层的底部与所述底部电接触结构相连接。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻过程包括在所述半导体衬底上依次形成一底部抗反射涂层、一低温氧化物层和一光致抗蚀剂层的步骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电材料为氮化钛。

7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有采用权利要求1-6中的任一方法形成的底部电接触结构。