[发明专利]MOS电容器的制作方法以及MOS电容器有效
| 申请号： | 201210101757.0 | 申请日： | 2012-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367141A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张子莹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/334 | 分类号： | H01L21/334;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 电容器 制作方法 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS电容器的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包含多个区域；
在多个所述区域内分别掺杂不同浓度和/或种类的亲氧性掺杂剂；
在多个所述区域上形成氧化物层；以及
在所述氧化物层上依次形成金属层和接触盖帽。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述亲氧性掺杂剂包括磷或砷。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述掺杂所采用的工艺为离子注入工艺。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入剂量大于零且小于等于2×1015/cm2。
5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入时间为10-100秒。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为10-30埃。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述氧化物的方法为快速热氧化法。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述快速热氧化法的反应温度为600-1200摄氏度。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述快速热氧化法的反应时间为5-60秒。
10.一种MOS电容器，其特征在于，所述MOS电容器是采用如权利要求1-9中任意一项所述的制作方法形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
