[发明专利]MOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖部分半导体衬底；

形成阱区层，所述阱区层覆盖氧化硅层及暴露出的半导体衬底；

在所述阱区层上形成单晶硅层；

在所述单晶硅层上形成栅极；

对所述栅极两侧的阱区层及半导体衬底进行离子注入工艺，形成源/漏极。

2.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，形成氧化硅层包括如下工艺步骤：

在所述半导体衬底上形成第一氧化硅材料层；

刻蚀所述第一氧化硅材料层，形成第一保护结构，同时暴露出部分半导体衬底；

在暴露出的半导体衬底上形成第二氧化硅材料层；

形成第二保护结构，所述第二保护结构紧靠所述第一保护结构；

在所述第二氧化硅材料层上形成第三氧化硅材料层；

移除第二保护结构；

刻蚀所述第三氧化硅材料层及第二氧化硅材料层，形成氧化硅层，同时暴露出部分半导体衬底。

3.如权利要求2所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二保护结构的材料为氮化硅。

4.如权利要求2所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，形成阱区层包括如下工艺步骤：

利用外延工艺形成硅外延层，所述硅外延层覆盖所述氧化硅层及暴露出的半导体衬底；

对所述硅外延层进行离子注入工艺，形成阱区层。

5.如权利要求4所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，在形成硅外延层之后，进行离子注入工艺之前，还包括如下工艺步骤：

刻蚀所述第一保护结构及半导体衬底，形成浅沟道隔离槽；

填充所述浅沟道隔离槽，形成浅沟道隔离结构。

6.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，利用外延工艺在所述阱区层上形成单晶硅层。

7.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，在所述单晶硅层上形成栅极包括如下工艺步骤：

在所述单晶硅层上形成栅极氧化层；

在所述栅极氧化层上形成多晶硅层；

刻蚀所述栅极氧化层及多晶硅层，形成栅极。

8.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，形成源/漏极包括如下工艺步骤：

对所述栅极两侧的阱区层进行离子注入工艺，形成源/漏扩展区；

在所述栅极两侧形成侧墙；

对所述侧墙两侧的阱区层及半导体衬底进行离子注入工艺，形成源/漏区。

9.一种如权利要求1至8中的任一项MOS晶体管的制造方法形成的MOS晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

氧化硅层，所述氧化硅层覆盖部分半导体衬底；

阱区层，所述阱区层覆盖氧化硅层及暴露出的半导体衬底；

单晶硅层，所述单晶硅层位于所述阱区层上；

栅极，所述栅极位于所述单晶硅层上；

源/漏极，所述源/漏极位于所述栅极两侧的阱区层及半导体衬底中。