[发明专利]一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺。

背景技术

目前随着信息化的到来，越来越多的电子产品进入生活，随之而来的是大量的更新换代的废弃电子产品成为难以处理的电子垃圾，由于在这些电子垃圾中，很多是含有金属、贵金属的集成电路底板，表面镀有金属薄层的塑料件及大量的含有保护层和金属反射层的光盘，如要实现绿色环保，则必须将将电子垃圾100%的回收再循环利用。但是进行在处理上述废弃物时，最令人头痛的问题是如何分离金属薄层。现在一般采用的是化学法，如在处理光盘时，先将光盘进行破碎，投入酸液（主要是硝酸）浸泡，一定时间后光盘表面的保护层和金属反射层即被溶解，将光盘的PC（聚碳酸酯）基体取出洗涤后，可用于再造粒生产PC原料。虽然在回收上看做到了光盘的聚碳酸酯材料的回收，但是其造成的二次污染极大，同时利用强酸回收，会腐蚀光盘PC基体，使得PC回收料质量不高，目前国内的光盘处理技术均采用化学法，造成不少地方产生环境污染。其二也有采用机械打磨法，该方法仅适用于完整的CD盘片，通过砂轮将CD盘表面的保护层和金属反射层打磨掉，剩下来的就是待回收造粒的PC基体。但是它仅适用于完整CD盘片，打磨过程对光盘的PC基体损耗大，回收率低，打磨过程中会将部分金属反射层压入PC基体内，影响PC回收质量，目前机械打磨法只存在相关研究，尚未有工程应用。此外目前比较多的还有ABS塑料电镀件的回收处理也仅限于化学法，与前述的光盘化学法一样，因使用强酸，二次污染极大，强酸会腐蚀ABS基体，使得ABS回收料质量不高，而化学法是也是目前国内唯一研究并应用的ABS电镀件回收处理技术。因此目前对于含有金属薄层非导电基体的废弃物处理仅限于具有二次污染的化学法回收，是当前绿色循环经济的一大障碍，亟待开发出新的处理方法以解决目前的问题。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术中用化学法对非导电基体上金属薄层进行分离所存在的上述问题，提供一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺。本发明设计一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺，其特征在于：对非导电基体的金属薄层表面进行高压放电。其特征在于：在非导电基体的金属薄层的一端设置高压放电极，在非导电基体的金属薄层的另一端设置接地极，高压放电极接高压电源。其特征在于：将粉碎的颗粒状的含有金属薄层的非导电基体通过两根平行电极之间，一根电极为接高压电源的高压放电极，另一根电极为接地的接地极。其特征在于：对完整CD-ROM光盘的金属薄层分离时，在中心设置高压放电极，在外圈设置环形接地极，所接的高压电源的放电电压为60~80kV，电流1-3mA，放电时间8~12s。其特征在于：对含有金属涂层的非导电基体碎片（如ABS电镀件，光盘碎片等）的金属薄层分离时，平行电极的高压放电电极所接的高压电源的放电电压为极板间距（cm）*10kV，电流5-20mA，放电时间8~12s。本发明的优点是分离非导电基体上金属薄层的过程为物理过程，不伴有化学反应。因此本工艺不产生二次污染。分离程度与时间呈正比，便于工程参数调节。（化学法处理要考虑反应速率方程，参数调节繁琐）本工艺的能耗较低，运行费用低廉。以光盘为例，化学法处理费用约500元/吨，而本工艺的实验数据推测出的处理费用不超过100元/吨。本工艺只需使用电能，无需化工原料，也没用排污需求。因此工程应用不受地缘因素影响。

附图说明

图1为本发明的一个处理完整光盘的结构示意图，图2为本发明的一个处理粉碎光盘的结构示意图。

下面结合附图和施工实例对本发明作详细使用说明。

具体实施方式

一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺，其特征在于：对非导电基体的金属薄层表面进行高压放电。其特征在于：在非导电基体的金属薄层的一端设置高压放电极，在非导电基体的金属薄层的另一端设置接地极，高压放电极接高压电源。其特征在于：将粉碎的颗粒状的含有金属薄层的非导电基体通过两根平行电极之间，一根电极为接高压电源的高压放电极，另一根电极为接地的接地极。其特征在于：对完整CD-ROM光盘的金属薄层分离时，在中心设置高压放电极，在外圈设置环形接地极，所接的高压电源的放电电压为60~80kV，电流1-3mA，放电时间8~12s。其特征在于：对含有金属涂层的非导电基体碎片（如ABS电镀件，光盘碎片等）的金属薄层分离时，平行电极的高压放电电极所接的高压电源的放电电压为极板间距（cm）*10kV，电流5-20mA，放电时间8~12s。