[发明专利]一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺

权利要求书

1.一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺，其特征在于：对非导电基体的金属薄层表面进行高压放电。

2.按权利要求1所述的一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺，其特征在于：在非导电基体的金属薄层的一端设置高压放电极，在非导电基体的金属薄层的另一端设置接地极，高压放电极接高压电源。

3.按权利要求1所述的一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺，其特征在于：将粉碎的颗粒状的含有金属薄层的非导电基体通过两根平行电极之间，一根电极为接高压电源的高压放电极，另一根电极为接地的接地极。

4.按权利要求2所述的一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺，其特征在于：对完整CD-ROM光盘的金属薄层分离时，在中心设置高压放电极，在外圈设置环形接地极，所接的高压电源的放电电压为60~80kV，电流1-3mA，放电时间8~12s。

5.按权利要求3所述的一种高压放电分离非导电基体上金属薄层的工艺，其特征在于：对含有金属涂层的非导电基体碎片（如ABS电镀件，光盘碎片等）的金属薄层分离时，平行电极的高压放电电极所接的高压电源的放电电压为极板间距（cm）*10kV，电流5-20mA，放电时间8~12s。