[发明专利]利用表面活化剂提高各向异性磁电阻灵敏度的方法在审
| 申请号： | 201210100658.0 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102623132A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 丁雷;于广华;向道平;魏要丽 | 申请（专利权）人： | 海南大学 |
| 主分类号： | H01F10/08 | 分类号： | H01F10/08;H01F10/14;H01F41/18;H01L43/12;H01L43/08;C23C14/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 570228 海南*** | 国省代码： | 海南;66 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 表面 活化剂 提高 各向异性 磁电 灵敏度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用表面活化剂提高各向异性磁电阻灵敏度的方法，在磁控溅射仪中，在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积Ta、Al2O3、Bi、NiFe、Bi、Al2O3、Ta，制备后薄膜立即在磁场下进行低温快速退火，其特征在于所述退火炉本底真空度为2×10-5～5×10-5Pa，退火温度200～250℃，退火时间为5～10分钟，退火场500～800Oe。
2.如权利要求1所述的利用表面活化剂提高各向异性磁电阻灵敏度的方法，其特征在于，沉积薄膜时各层厚度依次是50～钽Ta、10～氧化铝Al2O3、2～铋Bi、70～镍铁NiFe、2～铋Bi、10～氧化铝Al2O3和50～钽Ta。
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