[发明专利]封装结构与重布层基板以及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及了一种封装结构、重布层基板结构与其形成方法，特别来说，是涉及了一种独立形成重布层基板的方法，以及利用此重布层基板来形成封装结构的方法。

背景技术

在现代的资讯社会中，由集成电路(integrated circuit，IC)所构成的微处理系统早已被普遍运用于生活的各个层面，例如自动控制的家电用品、行动通讯设备、个人计算机等，都有集成电路的使用。而随着科技的日益精进，以及人类社会对于电子产品的各种想象，使得集成电路也往更多元、更精密、更小型的方向发展。

一般所称集成电路，是通过现有半导体工艺中所生产的晶粒(die)而形成。制造晶粒的过程，是由生产一晶圆(wafer)开始：首先，在一片晶圆上区分出多个区域，并在每个区域上，通过各种半导体工艺如沉积、光刻、蚀刻或平坦化工艺，以形成各种所需的电路路线，接着，再对晶圆上的各个区域进行切割而成各个晶粒，并加以封装成芯片(chip)，最后再将芯片电连至一电路板，如一印刷电路板(printed circuit board，PCB)，使芯片与印刷电路板的接脚(pin)电性连结后，便可执行各种程式化的处理。

为了提高芯片功能与效能，增加集成度以便在有限空间下能容纳更多半导体元件，相关厂商开发出许多半导体芯片的堆叠技术，包括了覆晶封装(flip-chip)技术、多晶片封装(multi-chip package，MCP)技术、封装堆叠(package on package，PoP)技术、封装内藏封装体(package in package，PiP)技术等，都可以通过芯片或封装体间彼此的堆叠来增加单位体积内半导体元件的集成度。此外，在进行芯片的堆叠时，也常会用到重布层(Redistribution Layer，RDL)封装架构，通过重布层的设计来配布连接两芯片。在公知技术中，重布层是通过半导体光刻与蚀刻制程，在芯片上重新将接触垫的电路导引到不同的位置。现有的重布层大多以金作为线路材料，不仅导电性较低，且价格也相对较高。此外，现有形成重布层的工艺是以光致抗蚀剂以在芯片上定义新的线路布局，这样的步骤会使其他不需要做预定堆叠的芯片也一起接受加工，使得晶圆上芯片的利用率降低，同时也使得成本增加。另外，现有光刻工艺必须在无尘室中进行，在封装厂的成本较高，也增加封装的成本支出。

发明内容

本发明于是提供独立形成重布层基板的方法，以及利用此重布层基板来形成封装结构的方法，以解决上述问题。

根据本发明的一个实施方式，本发明是提供一种封装结构，包含有第一芯片、重布层基板以及第二芯片。重布层基板包含基板、第一线路、第一锡球、第二线路、第二锡球以及通孔。基板具有第一表面以及第二表面。第一线路以及第一锡球设置于第一表面，两者电性连接。第二线路以及第二锡球设置于第二表面，两者电性连接。通孔贯穿第一表面以及第二表面，通孔电性连接第一线路以及第二线路。第一芯片包含第一接触垫，且第二芯片包含第二接触垫。其中，第二接触垫与第二锡球电性连接，第一接触垫与第一锡球电性连接。

根据本发明的另外一个实施方式，本发明提供了一种封装结构的形成方法。首先提供第一芯片具有第一接触垫。接着提供重布层基板。形成重布层基板的方法是先提供基板，具有第一表面以及第二表面。接着在基板中形成通孔，在第一表面上形成第一线路，在第二表面上形成第二线路，其中通孔电性连接第一线路以及第二线路。然后在第一表面上形成第一图案化光致抗蚀剂，其具有第一开孔，以及在第二表面上形成第二图案化光致抗蚀剂，其具有第二开孔。后续在第一开孔中形成第一锡球，以及在第二开孔中形成第二锡球。接着去除第一图案化光致抗蚀剂以及第二图案化光致抗蚀剂。将重布层基板贴覆在第一芯片上，其中第一锡球电性接触第一接触垫。然后提供第二芯片，具有第二接触垫，并将第二芯片贴覆在重布层基板上，其中第二接触垫电性接触第二锡球。

本发明所提供的重布层基板，是依照电路设计需求而先形成独立的基板结构，有别于现有技术必须在芯片形成重布层的工艺，本发明的重布层基板制作较简单且具有弹性。在形成重布层基板后仅需将上下芯片结合即可完成封装，可以加速封装工艺的完成。并且，重布层基板优选是以铜导线制作工艺，相较于现有金的重布层工艺，本发明可以具有突出的导电性质，大大增加了元件的性能。

附图说明

图1至图5为本发明一种形成重布层基板的步骤示意图。

图6至图8为本发明一种形成封装结构的步骤示意图。

图9为本发明一种封装结构的另一个实施例示意图。

其中，附图标记说明如下：