[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201210099699.2 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN103367318A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含有：
基底；
氧化物层，设在所述基底上；
至少一硅贯通电极，设在所述的基底以及所述氧化物层中，并且贯穿所述基底以及所述氧化物层；
多个深沟槽，至少设于所述硅贯通电极周围的基底中；以及
多个填充材料，设于所述的各深沟槽中。
2.根据权利要求1所述的具有硅贯通电极的半导体元件，其特征在于所述的硅贯通电极中包含有导电层。
3.根据权利要求2所述的具有硅贯通电极的半导体元件，其特征在于所述导电层材料可选自铜、钨、金、银及铝所组成的群组。
4.根据权利要求1所述的具有硅贯通电极的半导体元件，其特征在于所述的填充材料包含有气体。
5.根据权利要求1所述的具有硅贯通电极的半导体元件，其特征在于所述的填充材料包含有弹性材料。
6.根据权利要求1所述的具有硅贯通电极的半导体元件，其特征在于所述氧化物层包含氧化硅。
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