[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备

说明书

技术领域

本发明属于显示器制造技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法，以及使用所述阵列基板的显示设备。

背景技术

随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经逐渐取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。

其中，ADSDS(高级超维场转换技术，ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)型TFT-LCD由于具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点，广泛应用于液晶显示器领域。ADS型TFT-LCD通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，进而提高TFT-LCD产品的画面品质。

目前，ADS型TFT-LCD的阵列基板是通过多次光刻工艺来完成的，每一次光刻工艺又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺，其中刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀。

现有技术中通过5次光刻工艺制造的ADS型TFT-LCD阵列基板是较为领先的技术。图1为现有的ADS型TFT-LCD的阵列基板像素结构示意图，如图1所示，所述5次光刻工艺包括：公共电极(1st ITO)光刻、栅电极(gate)光刻、半导体层/源漏电极(SDT)光刻、钝化层(PVX)光刻和像素电极(2nd ITO)光刻。其中，所述公共电极用于提供公共电压，所述像素电极用于提供单元像素显色所需电压。

上述公共电极光刻和栅电极光刻是在连续的工艺下完成的，如果公共电极2或栅电极4在刻蚀工艺过程中产生残留，容易造成公共电极2与栅电极4导通，从而导致公共电极2与栅电极4之间发生短路(Gate-Common Short)，这会严重危害薄膜晶体管的性能。为了避免短路现象的发生，一般采取的措施是增大公共电极2与栅电极4之间的距离，但这种做法势必会增大为了防止栅线漏光的黑矩阵(BM，Black Matrix)的宽度，同时减少单元像素透光区的面积，从而降低单元像素的开口率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述问题，提供一种阵列基板及其制造方法，以克服现有技术中存在的单元像素的开口率较低的问题。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

所述阵列基板包括：基板；依次形成在所述基板上且相互绝缘的公共电极和像素电极；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；所述漏电极与所述像素电极电连接；以及与所述栅电极同层设置的公共电极线；其中，所述阵列基板还包括绝缘层，所述绝缘层位于栅电极与公共电极之间，用于将栅电极与公共电极隔离；所述公共电极通过绝缘层过孔与所述公共电极线连接。

优选的是，所述绝缘层覆盖在所述公共电极上并延伸至基板上，所述公共电极线和栅电极位于绝缘层上；绝缘层覆盖公共电极的部分开有第一过孔，公共电极通过第一过孔与公共电极线连接。

优选的是，所述公共电极线和栅电极位于基板上，所述绝缘层位于基板上并覆盖公共电极线和栅电极，所述公共电极位于绝缘层上方；所述绝缘层覆盖公共电极线的部分开有第一过孔，所述公共电极通过第一过孔与公共电极线连接。

优选的是，所述绝缘层采用高透光性的绝缘材料制成。

本发明同时提供一种如上所述的阵列基板的制造方法，包括在基板上制作公共电极线、公共电极、薄膜晶体管的过程，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极；其中，所述制造方法还包括：制作绝缘层，所述绝缘层位于栅电极与公共电极之间，用于将栅电极与公共电极隔离。

优选的是，所述制造方法具体包括下列步骤：

A.在基板上形成公共电极、绝缘层、栅电极与公共电极线的图形；

B.在完成步骤A的基板上形成栅电极保护层、有源层、源电极和漏电极的图形；

C.在完成步骤B的基板上形成钝化层的图形，并在钝化层上形成有第二过孔；

D.在完成步骤C的基板上形成像素电极的图形，所述像素电极通过第二过孔与漏电极连接。

进一步优选的是，所述步骤A包括：

A11.在基板上形成公共电极的图形；