[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、以及显示设备

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：

基板(1)；

依次形成在所述基板(1)上且相互绝缘的公共电极(2)和像素电极(10)；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极(4)、有源层(7)、源电极(8a)和漏电极(8b)；所述漏电极(8b)与所述像素电极(10)电连接；以及，

与所述栅电极(4)同层设置的公共电极线(5)；

其特征在于，所述阵列基板还包括绝缘层(3)，所述绝缘层(3)位于栅电极(4)与公共电极(2)之间，用于将栅电极(4)与公共电极(2)隔离；所述公共电极(2)通过绝缘层过孔与所述公共电极线(5)连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极(2)位于基板(1)上，所述绝缘层(3)覆盖在所述公共电极(2)上并延伸至基板(1)上，所述公共电极线(5)和栅电极(4)位于绝缘层(3)上；绝缘层(3)覆盖公共电极(2)的部分开有第一过孔(11)，公共电极(2)通过第一过孔(11)与公共电极线(5)连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线(5)和栅电极(4)位于基板(1)上，所述绝缘层(3)位于基板(1)上并覆盖公共电极线(5)和栅电极(4)，所述公共电极(2)位于绝缘层(3)上方；所述绝缘层(3)覆盖公共电极线(5)的部分开有第一过孔(11)，所述公共电极(2)通过第一过孔(11)与公共电极线(5)连接。

4.根据权利要求1-3之一所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层(3)采用高透光性的绝缘材料制成。

5.一种如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，包括在基板(1)上制作公共电极线(5)、公共电极(2)、薄膜晶体管的过程，所述薄膜晶体管包括栅电极(4)、源电极(8a)和漏电极(8b)；其特征在于，所述制造方法还包括：

制作绝缘层(3)，所述绝缘层(3)位于栅电极(4)与公共电极(2)之间，用于将栅电极(4)与公共电极(2)隔离。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法具体包括下列步骤：

A.在基板(1)上形成公共电极(2)、绝缘层(3)、栅电极(4)与公共电极线(5)的图形；

B.在完成步骤A的基板上形成栅电极保护层(6)、有源层(7)、源电极(8a)和漏电极(8b)的图形；

C.在完成步骤B的基板上形成钝化层(9)的图形，在钝化层(9)上形成有第二过孔(12)；

D.在完成步骤C的基板上形成像素电极(10)的图形，所述像素电极(10)通过第二过孔(12)与漏电极(8b)连接。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤A包括：

A11.在基板(1)上形成公共电极(2)的图形；

A12.在完成步骤A11的基板上形成绝缘层(3)的图形，在绝缘层(3)上形成有第一过孔(11)，使绝缘层(3)覆盖在公共电极(2)上并延伸至基板(1)上，并使所述第一过孔(11)位于公共电极(2)上方；

A13.在绝缘层(3)上形成栅电极(4)与公共电极线(5)的图形，使公共电极线(5)位于第一过孔(11)上方，公共电极线(5)通过第一过孔(11)与公共电极(2)连接。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤A包括：

A21.在基板(1)上形成栅电极(4)与公共电极线(5)的图形；

A22.在完成步骤A21的基板上形成绝缘层(3)的图形，在绝缘层(3)上形成有第一过孔(11)，使所述绝缘层(3)位于基板(1)上并覆盖公共电极线(5)和栅电极(4)，并使第一过孔(11)位于公共电极线(5)的上方；

A23.在绝缘层(3)上形成公共电极(2)的图形，使公共电极(2)位于第一过孔(11)上方，所述公共电极(2)通过第一过孔(11)与公共电极线(5)连接。